Подобранное значение

Cтраница 2

Кинетические кривые убыли мономера.| Влияние изменения величин констант k, , kn и kr на форму кинетической кривой убыли мономера. [16]

При подобранных значениях констант на аналоговой машине была проведена серия экспериментов при широком варьировании начальных условий. [17]

Зависимость - от.| Зависимость третьего предела самовоспламенения от состава смеси. [18]

Кривая 2 вычерчена по значению С, вычисленному из опытов со стехиометрическими смесями. Кривая 3 соответствует такому специально подобранному значению С, чтобы получилось совпадение опыта с расчетом для стехиометрической смеси. [19]

Основанный на принципе соответственных состояний обобщенный метод расчета р - V - У-свойств индивидуальных газов может быть применен и к вычислению свойств газовых смесей. Поэтому при расчете свойств смесей применяются такие специально подобранные значения исправленных критических параметров, при использовании которых могут применяться те же соотношения, что и для индивидуальных газов. Эти усредненные критические параметры называются псевдокритическими. [20]

Кинетические кривые для реакции окисления железа водой в координатах уравнения ( числа на кривых - номер образца.| Расчетные кинетические кривые для реакции окисления железа водой с учетом перекрывания ядер ( числа на кривых - номер образцов, точки - экспериментальные. [21]

На рис. 19 представлены кинетические кривые для типичных опытов по окислению железа водой. Кривые получены расчетом по уравнению (3.47) с подобранными значениями параметров а и а, точки нанесены по результатам эксперимента. Как видно из рисунка, уравнение (3.47) может быть использовано для описания кинетики реакции окисления железа. Однако следует отметить, что для образцов, содержащих добавки основных окислов, расхождения между расчетными кривыми и экспериментальными данными возрастают. [22]

В обычных солнечных элементах на основе одного полупроводникового материала полезно используется только часть энергии падающего солнечного излучения. В каскадных солнечных элементах [18-35] предусматривается использование не менее двух элементов из различных полупроводниковых материалов с соответствующим образом подобранными значениями ширины запрещенной зоны, которые при последовательном соединении обеспечивают высокое напряжение холостого хода. Применение полупроводников с запрещенными зонами, значительно отличающимися по ширине, спосЬбствует более эффективному использованию солнечного излучения и уменьшению внутренних потерь энергии. [23]

В первом случае проводится измерение емкости секций, выпущенных по обычной технологии; они разделяются на две группы - с минусовым и с плюсовым отклонением от половины номинала, а затем ведется их подбор парами из одной и из другой группы с таким расчетом, чтобы суммарная емкость пары соответствовала заданному номиналу в пределах заданного допуска. На этом принципе в Народной Республике Болгарии выпускают конденсаторы открытого типа под названием Дуплекс с допуском по емкости 1 %, представляющий собой две параллельно соединенные цилиндрические секции с подобранными значениями емкости, обернутые пленкой полистирола повышенной толщины, которая плотно скрепляет секции при дополнительной операции запекания. [24]

Но почти для всех других адсорбатов использование рассчитанного по этому уравнению значения Ат часто приводит к неправильному значению удельной поверхности. Тогда значение Ат должно подбираться на основе требования, чтобы полученное значение S соответствовало значению, полученному независимым способом. В большинстве случаев это подобранное значение Ат превосходит значение, рассчитанное по плотности жидкости. Это значит, что либо значение емкости монослоя правильное, но упаковка в адсорбционной пленке более рыхлая, чем в жидкой фазе, либо упаковка та же самая, что в жидкой фазе, но метод БЭТ не дает правильного значения емкости монослоя. [25]

Поэтому при расчете свойств смесей применяются специально подобранные значения исправленных критических параметров, позволяющие применять те же соотношения, что и для индивидуальных газов. Эти усредненные критические параметры называются псевдокритическими. [26]

Эти рассуждения можно оформить в виде алгоритма, который и приведен ниже. Сходимость алгоритма зависит от исходного множества ключей. Чтобы избежать чрезвычайно больших затрат на вычисление С и гарантировать конечность алгоритма, в нем использовано соответствующим образом подобранное значение CL, являющееся предельным для С. [27]

По-видимому, он специально подобрал такое значение а, чтобы решение нельзя было найти путем простого подбора. Интересно, что точно к такому же приему прибегнул впоследствии Пьер Ферма: он также поставил перед своими корреспондентами задачу решения уравнения () ц ля специально подобранных значений а, для которых наименьшее решение было очень велико. [28]

Систематические погрешности могут быть также исключены путем нескольких проведенных определенным образом измерений. Одним из таких приемов является так называемый способ замещения, который заключается в том, что сначала измеряется искомая величина, а затем вместо нее включается регулируемая образцовая величина того же рода. Значение последней подбирается таким, чтобы получить показание ( прибора, измерительной установки), равное показанию при включенной измеряемой величине, и значение измеряемой величины принимается равным подобранному значению образцовой величины. Очевидно, что при этом исключается влияние на результат измерения всех систематических постоянных погрешностей. [29]

Для окончательной регулировки усилителя используется перекос постоянных времени первичных цепочек четырехполюсника. Это следует из выражения ( 39) и других последующих соотношений этого раздела. В результате такой регулировки компенсируется вредное действие проходной монтажной емкости Ств ( см. фиг. Экспериментально подобранные значения перекоса постоянных времени указаны на схеме фиг. [30]

Страницы: 1 2 3