Статическое свойство

Cтраница 3

В большинстве квантовохимических исследований скоростей реакций основное внимание все же уделяется анализу какого-либо статического свойства молекул или интермедиатов реакций, а не попыткам вычисления поверхности потенциальной энергии и решения кинетических уравнений. В различных подходах к числу таких исследуемых свойств относятся: 1) распределение плотности заряда или электростатические потенциалы ( предполагается, что наиболее выгодное направление атаки реагентов должно определять продукты реакции); 2) энергии заранее постулированных переходных состояний или других интермедиатов ( траектория координаты реакции должна отвечать наиболее низкой энергии); 3) энергии и / или распределение плотности заряда для высшей занятой и / или низшей свободной молекулярной орбитали ( эти характеристики играют доминирующую роль в вычислениях по теории возмущений); 4) энергии разрыва связей ( быстрее всего должны разрываться наиболее слабые связи и образовываться наиболее прочные связи) и многие другие свойства. [31]

Можно привести и другие многочисленные примеры, показывающие, что справочные данные о статических свойствах следует использовать лишь для предварительного выбора нескольких наиболее обещающих материалов, после чего следует получить их динамические характеристики. [32]

В ГИС наряду с цифровыми моделями местности, которые, как правило, отражают статические свойства, широко используются динамические модели, например модель явления. [33]

Структурные схемы реализации ПИ-регулятора. [34]

Таким образом, пропорциональная составляющая обеспечивает необходимые динамические свойства системы, а интегральная - статические свойства, устраняет статическую неравномерность. Уравнение (7.16) может быть реализовано структурой, показанной на рис, 33, а. Здесь обратная связь выполнена в виде реального дифференцирующего звена с постоянной времени, равной постоянной времени регулятора Т, и с коэффициентом усиления, равным обратному коэффициенту усиления регулятора. [35]

Зависимости ( 2 - 10) - ( 2 - 14) полностью характеризуют статические свойства двухфазного ШД с возбужденным двухполюсным ротором. [36]

Правила порождения G применяются к спецификациям статических свойств данных и ( частично) отражают статические свойства реального мира. [37]

Система уравнений ( 44), ( 45) и ( 46) описывает статические свойства множителыш-делительного устройства. [38]

Полезный сигнал т ( t) является случайной функцией с медленно изменяющимися во времени статическими свойствами. [39]

Заметим, кстати, что аналогия, скажем, между кристаллом алмаза и парафинами не ограничивается только статическими свойствами этих систем. Так, в работах [140] было показано, что спектр колебаний tt) ( k) решетки алмаза можно рассчитать, заимствовав силовые константы для связей С-С из колебательных спектров насыщенных углеводородов. [40]

Описание вводит объект для части программы ( ее контекст), присваивая ей имя и определяя ее статические свойства. В качестве примеров можно привести описание переменны, описания процедур, описания портов ввода-вывода или файлов. [41]

Таким образом, апериодическое звено характеризуется двумя числовыми данными: 1) коэффициентом усиления k, определяющим статические свойства звена, и 2) постоянной времени Т, определяющей динамические свойства звена. [42]

Итак, апериодическое звено характеризуется двумя числовыми данными: 1) коэффициентом усиления или передаточным числом k, определяющим статические свойства звена, 2) постоянной времени Т, определяющей динамические свойства звена. [43]

Из анализа влияния формы внешней характеристики на устойчивость дуги и процесс ручной и автоматической сварки вытекают следующие требования к статическим свойствам источника питания, отображаемым его внешней характеристикой. [44]

Из приведенных соотношений следует, что увеличение тока базы, открывающего транзистор ( увеличение коэффициента насыщения s), улучшает статические свойства ключа ( уменьшается остаточное напряжение Ока) и уменьшает время включения транзистора. G другой стороны, повышение коэффициента насыщения приводит к увеличению времени выключения транзистора вследствие возрастания времени рассасывания. Требуемое быстродействие ключевой схемы достигается путем форсировки отпирающего и запирающего токов базы при включении и выключении транзисторов. [45]

Страницы: 1 2 3 4