Cтраница 1
Диэлектрические свойства кристалла в направлениях осей х и у при этом не обнаруживают никаких аномалий, а для исследования свойств вдоль сси z достаточно рассмотреть в термодинамическом потенциале только члены, содержащие Pz. Вблизи точки перехода параметр порядка Pz мал и термодинамический потенциал Ф может быть разложен по его степеням. [1]
Диэлектрические свойства кристалла в направлениях осей х и у при этом не обнаруживают никаких аномалий, а для исследования свойств вдоль оси z достаточно рассмотреть в термодинамическом потенциале только члены, содержащие Pz. Вблизи точки перехода параметр порядка Pz мал и термодинамический потенциал Ф может быть разложен по его степеням. [2]
Диэлектрические свойства кристаллов зависят от того, находятся ли в узлах решетки атомы, ионы, полярные или неполярные молекулы. [3]
Результаты влияния на диэлектрические свойства кристаллов группы KDP 7-облучения, проведенного при комнатных температурах, подтверждаются облучением кристаллов при температуре жидкого азота. Существенно, что сразу после облучения при температуре жидкого азота пик ( tg 6 ц отсутствует и появляется лишь в процессе отжига. [4]
После приведения к главным осям диэлектрические свойства кристаллов могут быть охарактеризованы значениями и направлениями главных диэлектрических проницаемостей. Как будет подчеркнуто в следующем параграфе, значения ( и направления) их зависят от частоты электрического поля. В табл. V.5 приведены главные диэлектрические проницаемости кристаллов хлорида натрия, кальцита, кварца и арагонита. [5]
Как было указано в предыдущей главе, присутствие ионов водорода изменяет диэлектрические свойства кристаллов НБН. [6]
Экспериментальные исследования показали, что влияние 7 и рентгеновской радиации на диэлектрические свойства дейтерированных кристаллов группы KDP подобно их воздействию на диэлектрические свойства недейтерированных кристаллов. Это позволяет предположить, что дефекты, возникающие при родственных видах облучения в этих кристаллах, качественно одинаковы. [7]
Таким образом, следует не разделять вещества на диэлектрики и полупроводники, а различать полупроводниковые и диэлектрические свойства кристаллов, обладающих энергетической щелью в спектре электронных состояний. [8]
Экспериментальные исследования показали, что влияние 7 и рентгеновской радиации на диэлектрические свойства дейтерированных кристаллов группы KDP подобно их воздействию на диэлектрические свойства недейтерированных кристаллов. Это позволяет предположить, что дефекты, возникающие при родственных видах облучения в этих кристаллах, качественно одинаковы. [9]
Важным свойством пьеэоэлектриков является существование точки Кюри - значения температуры, при котором пьезоактивность исчезает. Необходимо также иметь в виду, что упругие и диэлектрические свойства кристаллов, как правило, зависят от направления и описываются тензорами. [10]
Лоренца о том, что в электролизе расплавленных солей участвуют если не все, то во всяком случае большинство ионов - это заключение можно было бы по аналогии перенести на кристаллы. Однако мы, вопреки этим соображениям, думаем, что, если ионы кристалла и являются отдельными индивидуумами, свободными по отношению к оптическим и упругим колебаниям, то по отношению к постоянной электрической силе их надо считать упругозакрепленными в тех положениях, которые по строению кристаллической сетки соответствуют минимуму их потенциальной энергии. Влияние поля определяет диэлектрические свойства кристаллов, а не их электропроводность. Последняя обусловливается только теми исключительными ионами, которые, благодаря случайностям теплового движения или недостаточно прочному положению в основной решетке кристалла, совершенно выведены в данный момент из положения равновесия. [11]
В кристаллах KSN сегнетоэлектрические домены ориентированы вдоль тетрагональной оси с. Если электриче ское поле приложить вдоль оси с неполярного образца, то домены, антипараллельные направлению поля, изменят свое направление поляризации, так что все домены окажутся направленными параллельно приложенному полю. Изменение направления приложенного поля, а следовательно, и поляризации на противоположное не должно изменять диэлектрические свойства кристалла. Однако эксперименты показали, что диэлектрические свойства не соответствуют исходным, если кристалл деполяризовался в уменьшающемся переменном поле, тогда как при термической деполяризации ( при охлаждении от температуры выше точки Кюри) его свойства полностью восстанавливаются. Кроме того, было обнаружено, что приложение переменного поля к полидоменному кристаллу оказывает тот же самый эффект, что и постоянное поле. [12]
Изложенные выше теории нельзя считать совершенно удовлетворительными по той причине, что они не учитывают способности ионов или атомов поляризоваться в кристалле. Во - п р-вых, при помещении иона или атома в электрическое поле Е его электронное облако деформируется, что приводит к возникновению электрического диполя р аЕ, где а - поляризуемость иона или атома. Во-вторых, электронные - оболочки также должны деформироваться по мере изменения межатомных расстояний. Если важное значение первого эффекта хорошо известно и его вклад легко учесть в рамках теории, объясняющей диэлектрические свойства кристаллов, то оценка второго эффекта представляет собой более трудную задачу. [13]
Когда мы говорили о преобразовании осей, то считали, что положение самого кристалла фиксировано в пространстве. Если же вместе с осями поворачивать и кристалл, то а не изменяются. И обратно, если по отношению к осям изменять ориентацию кристалла, то получится новый набор коэффициентов а. Но если они известны для какой-то одной ориентации кристалла, то с помощью только что описанного преобразования их можно найти и для любой другой ориентации. Иначе говоря, диэлектрические свойства кристалла полностью описываются заданием компонент тензора поляризуемости а в любой произвольно выбранной системе координат. Точно так же как вектор скорости v - ( vx, vy, vz) можно связать с частицей, зная, что три его компоненты при замене осей координат будут изменяться некоторым определенным образом, тензор поляризуемости а /, девять компонент которого при изменении системы осей координат преобразуются вполне определенным образом, можно связать с кристаллом. [14]
Рассмотренные в начале параграфа 3.11 соотношения относятся к такому случаю, при котором вид деформации пьезокрис-талла и вид механического напряжения заранее выбраны и считается, что они скалярио связаны между собой модулем упругости. Точно так же заранее выбран вид пьезоэффекта и вид электрической поляризации этого пьезокристалла. Между тем известно, что даже в изотропном упр гом теле приложение усилий в одном направлении вызывает деформации не только в этом же направлении, но и в перпендикулярных ему. В анизотропном теле - в кристалле - упругие свойства еще более сложны: связь между напряжениями и возникающими деформациями зависит еще от ориентации приложенных напряжений или деформаций относительна кристаллической решетки кристалла. Так как структура кристаллической решетки внешне проявляется в виде определенного вида симметрии кристалла - наличия осей симметрии, - то формально можно считать, что величина и направление деформации кристалла зависят от направления приложения усилий по отношению к осям симметрии кристалла. Пьезоэлектрические и диэлектрические свойства кристаллов также оказываются зависящими от ориентации по отношению к осям симметрии. [15]