Магнитное свойство - кристалл - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Жизнь человеку дается один раз, но, как правило, в самый неподходящий момент. Законы Мерфи (еще...)

Магнитное свойство - кристалл

Cтраница 1


1 Схематическое изображение основных типов колинеар-ной магнитной атомной структуры в кристаллах. а - простая ферромагнитная. б - простая антиферромагнитная. б - ферримаг-нитная. г - схема доменной структуры. д - структура стенки Блоха. [1]

Магнитные свойства кристаллов анизотропны.  [2]

Магнитные свойства кристаллов с дефектами в целом отличаются от магнитных свойств идеальных кристаллов.  [3]

В главах 6 - 10 рассмотрены тепловые, электрические, диэлектрические, оптические и магнитные свойства кристаллов. II) посвящена обсуждению свойств аморфных твердых тел. Мы считали, что этому вопросу необходимо уделить особое внимание, поскольку аморфные твердые тела в последнее время занимают все большее место как в науке, так и в технике.  [4]

С помощью представлений о черно-белой симметрии хорошо описываются магнитные свойства кристаллов.  [5]

Бете ( 1929) и развиты Ван Флеком ( 1932) применительно к магнитным свойствам кристаллов. Позднее, с 50 - х годов нашего столетия, на основе этой теории были объяснены не только магнитные, но и спектральные, электрические, термодинамические и другие свойства систем, в состав которых входят ионы с незаполненными d - и / - оболочками.  [6]

7 Методы изучения дефектов решетки. [7]

Примерами структурно-чувствительных свойств могут служить все свойства, связанные с движением атомов или электронов, неосновное оптическое поглощение и люминесценция, а также магнитные свойства кристаллов.  [8]

В этот член входит также часть энергии взаимодействия, зависящая от магнитного состояния кристалла. Хотя эта энергия в целом невелика, она определяет магнитные свойства кристалла.  [9]

Для получения температурной зависимости намагниченности следует воспользоваться выражением (1.8) MNgSp. BBs ( x), где мы заменили / на S, поскольку магнитные свойства магнито-упорядоченных кристаллов определяются в основном спиновыми моментами.  [10]

Этот метод был впервые применен Пенни и Шлаппом [155, 156] для исследования кажущихся аномалий в магнитных свойствах кристаллов. Ван Флек, Пенни и Шлапп полагали, что возмущения, вызывающие аномалии, обусловлены силами, действующими в кристаллах. Однако Гортер [56] указал, что они могут быть интерпретированы как возмущения, обусловленные молекулами воды первой сольватной оболочки, являющимися источниками электрического потенциала, и вскоре была установлена правильность этого положения.  [11]

Внутренние кристаллические поля, действующие на магнитный ион со стороны соседних атомов, могут оказывать сильное влияние на магнитные свойства вещества. Вызывая расщепление энергетических уровней магнитного иона, они могут приводить к полному или частичному замораживанию орбитальных магнитных моментов, в результате чего магнитные свойства кристалла будут обусловлены в основном спиновыми моментами. Анализ влияния кристаллического окружения на энергетические уровни ионов переходных элементов проводится обычно в рамках так называемой теории внутрикристаллического электрического поля, в предположении в основном о ионном характере связи. Электрическое поле приводит к штар-ковскому расщеплению энергетических уровней основного состояния, причем число компонент, на которое происходит расщепление, зависит только от симметрии окружения. В связи с этим задача о штарковском расщеплении уровней во внутрикристалличе-ском электрическом поле с заданной симметрией может быть решена с помощью теоретико-групповых методов. Для определения величины расщепления необходимо знать уже величину внутри-кристаллического поля. Эта задача при известной величине поля решается обычно методами теории возмущений. При таких расчетах требуются сведения об относительной величине энергии взаимодействия магнитных электронов с внутрикристаллическим полем по сравнению с другими взаимодействиями внутри свободного иона. Для свободного иона основными видами взаимодействия являются кулоновское и спин-орбитальное.  [12]

Из рассмотрения этих примеров вытекает, что электронная теория предвидит ряд возможностей, связанных с изменением активности катализаторов, и способна объяснить некоторые факты, известные из каталитического опыта. Преимущество этого пути состоит в том, что здесь с единой точки зрения можно рассматривать гетерогенный каталитический процесс и такие физические явления, как электропроводность полупроводников, работу выхода электрона, магнитные свойства кристаллов. Тем самым предсказывается и дается обоснование корреляциям, найденным между изменением каталитических и ряда физических свойств кристалла. Трудность этого направления обусловлена тем, что эти связи далеко не всегда являются однозначными. Можно указать на несколько причин такой неоднозначности.  [13]

14 Сечение молекулы полиэтилена, показывающее линии одинаковой электронной плотности.| Структура кристаллов полиэтилена. [14]

Карта электронной плотности молекулы полиэтилена ( рис. 48) позволяет обнаружить одну интересную подробность. Несомненно, это отчасти обусловлено анизотропными термическими колебаниями в кристалле. Магнитные свойства кристаллов других цепных соединений указывают на искажение СН2 - групп в направлении, перпендикулярном оси цепи. Таким образом, мы видим, что совместное применение рентгенографических методов и гармонического анализа может дать сведения о поляризации в молекулярных системах, которые невозможно получить более простыми рентгенографическими методами.  [15]



Страницы:      1    2