Полупроводниковое свойство

Cтраница 2

Полупроводниковые свойства были установлены А. Т. Вар-таняном в слоях некоторых органических красителей. [16]

Относительная фотопроводимость слоев InS S ( 1 и чистой серы ( 2. [17]

Полупроводниковые свойства InS исследованы мало. В работах [16, 17] рассмотрены общие положения о полупроводниковых свойствах соединений состава AniBVI на основе двух типов структур, однако свойства InS не описываются. [18]

Полупроводниковые свойства антрацена интенсивно исследуются за. Антрацен обладает чрезвычайной склонностью к образованию молекулярных соединений. С), Молекулярные соединения образуются также с тринитробензолом, пикрилхлоридом, стифниновой кислотой ( тринитрорезорцином) и динитроантрахиноном. [19]

Полупроводниковые свойства сульфидов уже давно используют в науке и технике. Так, сульфид кадмия находит широкое применение в фотоэлектрических, регистрационных и регулировочных устройствах, например на основе сульфида кадмия изготовляют полевые фототриоды, так называемые диэлектрические диоды и триоды. Фотосопротивления, изготовленные из CdS, превосходят в видимой области света по своей чувствительности все другие подобные устройства. Сульфид свинца обладает высокой чувствительностью к инфракрасному излучению и используется в качестве приемника ИК-излучения. [20]

Относительная фотопроводимость слоев InS S ( 1 и чистой серы ( 2. [21]

Полупроводниковые свойства InS исследованы мало. В работах [16, 17] рассмотрены общие положения о полупроводниковых свойствах соединений состава AIIJBVI на основе двух типов структур, однако свойства InS не описываются. [22]

Полупроводниковые свойства GaSb близки к свойствам германия. Но так как антимонид галлия до сих пор не получен в состоянии высокой чистоты, то с точки зрения практического применения он не представляет особого интереса. Возможно, антимонид галлия найдет применение в качестве материала для туннельных диодов. Как будет показано ниже, в качестве компонента сложных полупроводниковых сплавов антимонид галлия может оказаться полезным. Так, например, добавка его к антимониду алюминия предотвращает коррозию последнего, а добавка к антимониду индия увеличивает ширину запрещенной зоны, не очень сильно снижая подвижность. [23]

Полупроводниковые свойства GaSb близки к свойствам германия. Но так как антимония галлия до сих пор не получен в состоянии высокой чистоты, то с точки зрения практического применения он не представляет особого интереса. Возможно, антимония галлия найдет применение в качестве материала для туннельных диодов. Как будет показано ниже, в качестве компонента сложных полупроводниковых сплавов антимонид галлия может оказаться полезным. Так, например, добавка его к антимониду алюминия предотвращает коррозию последнего, а добавка к антимониду индия увеличивает ширину запрещенной зоны, не очень сильно снижая подвижность. [24]

Полупроводниковые свойства металлического германия проявляются тем больше, чем чище металл. [25]

Система энергетических зон в случае полупроводника, включающего атомы примеси. [26]

Полупроводниковые свойства нестехиометрических соединений рассмотрены в разд. [27]

Полупроводниковые свойства карбида кремния при комнатных температурах определяются наличием различных примесей. [28]

Таблиц 1. Библиографий 17. [29]

Полупроводниковые свойства бисилицида хрома могут быть прямым следствием наличия частичной ковалентной связи. Сопоставление структур CrSi и CrSi2 показывает идентичность атомов кремния в первой координационной сфере. [30]

Страницы: 1 2 3 4