Cтраница 1
Полупроводниковые свойства кремния, германия и некоторых других простых веществ и соединений элементов IV группы периодической системы определяются прежде всего особенностями их электронной структуры и характером связи атомов в кристаллической решетке. Они имеют тетраэдрическую кристаллическую решетку: каждый атом связан с четырьмя другими атомами ковалентной связью. При образовании этой связи происходит как бы перекрывание электронных орбит атомов и зр3 - гибридизация связей Все связи становятся равноценными в любом теяграэдрическом направлении. Вследствие этого электроны сравнительно прочно связаны с атомами: свободных электронов, способных проводить ток, насчитывается примерно 1 электрон на 105 - 109 атомов. В кристаллической решетке большинства металлов в среднем приходится 1 проводящий электрон на 1 атом, а в изоляторах все валентные электроны участвуют в химических связях и электронов проводимости нет. Хорошим изолятором является, например, алмаз. Хотя кремний и германий имеют атомную кристаллическую решетку типа алмаза, их валентные электроны связаны с атомами менее прочно и могут стать электронами проводимости под влиянием теплоты за счет энергии фотонов усиления электрического поля. [1]
Вопрос о полупроводниковых свойствах кремния и его аналогов группы AlnBv представляет самостоятельный интерес и в обзоре не рассматривается. [2]
Так следует объяснять полупроводниковые свойства кремния. [3]
Полупроводниковые свойства кремния выявлены и использовались еще до второй мировой войны. Однако со времени создания германиевого транзистора ( 1948 г.) применение кремния временно сократилось, так как германий высокой чистоты получить в чистейшем виде оказалось проще, чем кремний. [4]
При освещении и нагревании увеличивается число разрушаемых связей, а значит, увеличивается число свободных электронов и возрастает электрическая проводимость. Так следует объяснять полупроводниковые свойства кремния. [5]
Это зависит от того, где вещество применяется, от сложности технологии получения и трудности анализа. Это объясняется тем, что очистка кремния и германия от углерода, кислорода, азота и оп-ределение последних представляет собой наиболее трудную задачу, а главное - в основном не эти примеси лимитируют полупроводниковые свойства кремния и германия. [6]
В кристалле кремния дзже при обычных условиях часть ко-валентных связей разрушается. Поэтому в нем имеются свободные электроны, которые обусловливают небольшую электрическую проводимость. При освещении и нагревании увеличивается число разрушаемых связей, а значит, увеличивается число свободных электронов и возрастает электрическая проводимость. Так следует объяснять полупроводниковые свойства кремния. [7]
В кристалле кремния даже при обычных условиях часть кова-лентных связей разрушается. Поэтому в нем имеются свободные электроны, которые обусловливают небольшую электрическую проводимость. При освещении и нагревании увеличивается число разрушаемых связей, а значит, увеличивается число свободных электронов и возрастает электрическая проводимость. Так следует объяснять полупроводниковые свойства кремния. [8]
В кристалле кремния даже при обычных условиях часть ко-валентпых связей разрушается. Поэтому в нем имеются свободные электроны, которые обусловливают небольшую электрическую проводимость. При освещении и нагревании увеличивается число разрушаемых связей, а значит, увеличивается число свободных электронов и возрастает электрическая проводимость. Так следует объяснять полупроводниковые свойства кремния. [9]