Полупроводниковое свойство - соединение
Cтраница 1
Полупроводниковые свойства соединений почти не изучены. Все константы этих несимметричных кристаллов имеют различные значения в зависимости от кристаллографического направления. Четко выраженная спайность кристаллов свидетельствует о наличии значительной доли ионной связи. Оба соединения обладают значительным фотоэффектом. По-видимому, сульфид и селенид галлия, а также и сульфид индия обладают фотоэлектрическими свойствами. [1]
Книга знакомит с химическими и полупроводниковыми свойствами соединений элементов III Б подгруппы периодической системы Д.И.Менделеева с халькогенами: серой, селеном и теллуром. Рассмотрены методы синтеза, выращивания монокристаллов, основные полупроводниковые свойства двойных халькогенидов бора, алюминия, галлия, индия и таллия, закономерности образования халькогенидов этих элементов и изменение свойств в рядах соединений-аналогов. [2]
 |
Некоторые полупроводниковые свойства соединений AmBVI. [3] |
В табл. 22 приведены некоторые данные о полупроводниковых свойствах соединений этой группы. [4]
Прошло уже десять лет с того времени, когда появились первые сообщения о полупроводниковых свойствах соединений III-V. С тех пор опубликовано несколько сотен статей на эту тему, и теперь наступил период, когда возможно широкое изучение этих материалов. Мы занялись таким изучением, преследуя две цели: во-первых, описание свойств соединений III-V как семейства полупроводниковых кристаллов и, во-вторых, сравнение этих соединений с элементарными полупроводниками, кремнием и германием, которые изучены лучше и природа которых нам более понятна. [5]
Рассмотренные двойные халъкогениды алюминия имеют, по-видимому, малое практическое значение, хотя некоторые полупроводниковые свойства соединений состава 2: 3 - фоточувствительность и оптические свойства - представляют интерес. [6]
Рассмотренные двойные халькогениды алюминия имеют, по-видимому, малое практическое значение, хотя некоторые полупроводниковые свойства соединений состава 2: 3 - фоточувствительность и оптические свойства - представляют интерес. [7]
Соединения типа А В являются хорошими люминофорами, их люминесцентные свойства давно изучаются, и в настоящее время они в значительной мере объяснены. Полупроводниковые свойства соединений типа А ТВ исследованы в меньшей степени, и объем знаний пока еще недостаточен, чтобы в полной мере понять природу таких свойств, как величина и тип проводимости. [8]
 |
Относительная фотопроводимость слоев InS S ( 1 и чистой серы ( 2. [9] |
Полупроводниковые свойства InS исследованы мало. В работах [16, 17] рассмотрены общие положения о полупроводниковых свойствах соединений состава AniBVI на основе двух типов структур, однако свойства InS не описываются. [10]
 |
Относительная фотопроводимость слоев InS S ( 1 и чистой серы ( 2. [11] |
Полупроводниковые свойства InS исследованы мало. В работах [16, 17] рассмотрены общие положения о полупроводниковых свойствах соединений состава AIIJBVI на основе двух типов структур, однако свойства InS не описываются. [12]
Зонная теория твердого тела в общем виде исключает образование полупроводниковых соединений в системах с участием переходных металлов. Наличие у атомов переходных металлов дефектных d - оболочек должно привести к перекрытию валентных зон и зон проводимости. Однако опыты подтвердили полупроводниковые свойства соединений, в состав которых входят атомы переходных металлов. Так как вырождение энергетических состояний электронов в зону происходит при химическом взаимодействии, которое может наблюдаться при каком-то критическом расстоянии между атомами, был предложен следующий критерий для определения состояния d - электронов в соединениях переходных металлов. [13]
Страницы: 1