Cтраница 1
Вентильное свойство p - n - перехода лежит в основе устройства почти всех полупроводниковых приборов. [1]
![]() |
Схемы однополупериодноги выпрямления. [2] |
Вентильное свойство р - п используется в полупроводниковых выпрямителях. [3]
![]() |
Подключение источников напряжения к полупроводниковому диоду. [4] |
Вентильные свойства р-л-перехода используются в полупроводниковых диодах, обладающих большим обратным и малым прямым сопротивлениями. [5]
Вентильные свойства селена были известны еще в конце XIX века, однако практическое применение селена для выпрямления переменного тока началось в конце тридцатых и начале сороковых годов XX века. [7]
![]() |
Схема электронного выпрямителя. [8] |
Вентильные свойства кенотрона обусловливаются легким выходом электронов из раскаленного катода и неспособностью сравнительно холодного анода излучать поток электронов. [9]
Соответственно вентильные свойства практически отсутствуют, и система является просто неоднородным полупроводником. [11]
![]() |
Семейство вольтам-перных характеристик кенотрона.| Семейство кривых, иллюстрирующих зависимость анодного тока кенотрона от температуры накала катода при разных напряжениях на аноде. [12] |
Вентильные свойства ионных приборов, как и кенотр онов, также обусловлены тем, что только у катода их создаются условия для выхода электронов, являющихся основными носителями тока в приборах. Анод при нормальном режиме работы электронов не излучает. Электроны, испускаемые катодом и ускоряемые полем анода, на своем пути к аноду сталкиваются в ионных вентилях с атомами газа и, ионизируя их, создают положительные ионы, которые в свою очередь компенсируют объемный отрицательный заряд электронов. [13]
Вентильные свойства любого диода выражены тем ярче, чем меньше обратный ток при заданном обратном напряжении и чем меньше прямое напряжение при заданном прямом токе. К сожалению, эти два требования в данном случае противоречивы. В самом деле, из формулы ( 2 - 37) видно, что изменение теплового тока, какими бы причинами оно ни вызывалось, сопровождается изменением прямого напряжения в противоположном направлении. Это хорошо видно из рис. 2 - 21, а, где различие токов / 0 обусловлено разницей в площадях переходов при прочих равных условиях. Важным следствием этой общей зависимости является то, что прямые напряжения у кремниевых диодов заметно больше, чем у германиевых, поскольку тепловой ток у первых на несколько порядков меньше. [14]
![]() |
Характеристики идеализированных диодов с разными площадями переходов ( а и разными тепловыми токами - германиевого и кремниевого ( б. [15] |