Вентильное свойство - диод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если вы считаете, что никому до вас нет дела, попробуйте пропустить парочку платежей за квартиру. Законы Мерфи (еще...)

Вентильное свойство - диод

Cтраница 1


Вентильное свойство диода является следствием ярко выраженной внутренней неоднородности структуры. В данном случае, когда слон разнотипные, нелинейность, естественно, оказывается еще сильнее.  [1]

2 Вольт-амперная характеристика диода. [2]

В этом проявляются вентильные свойства диода, которые выражены тем сильнее, чем меньше обратный ток при заданном обратном напряжении и чем меньше прямое напряжение при заданном прямом токе.  [3]

Полярность действия электродренажа с применением полупроводниковых диодов ( рис. 21 6) обусловливается вентильными свойствами диодов. Ток в дренажной цепи протекает только тогда, когда потенциал трубопровода выше потенциала рельсов. Относительно высокое прямое сопротивление полупроводниковых диодов снижает чувствительность электродренажа.  [4]

5 К определению времени переключения.| Зависимость допустимое помехи от длительности.| Вольт-амперная характеристика диода.| Диодные схемы ИЛИ. а - для положительных. б - для отрицательных напряжений. [5]

Эти построения основываются на вентильных свойствах диода.  [6]

7 Схемы вклю. [7]

При очень малых напряжениях, по - ч м-рядка долей вольта, статический коэффициент выпрямления измеряется десятками, а при больших напряжениях, составляющих несколько вольт и выше, он измеряется от нескольких тысяч до сотен тысяч единиц и более в зависимости от типа диода. Повышение температуры диода снижает величину статического коэффициента выпрямления, что ухудшает вентильные свойства диода.  [8]

В выпрямительных диодах используется свойство односторонней проводимости p - n - перехода. Их применяют в качестве вентилей, которые пропускают переменный ток только в одном направлении. Вентильные свойства диода зависят от того, насколько мал обратный ток. Для уменьшения обратного тока необходимо снижать концентрацию неосновных носителей, что может быть обеспечено за счет высокой степени очистки исходного полупроводника. Обычно применяют полупроводники, в которых на 109 - 1010 атомов основного элемента приходится один атом примеси.  [9]

Собственная емкость селенового диода обусловлена наличием запорного слоя между двумя его электродами. Величина емкости составляет от 0 01 до 0 02 мкф на 1 смг рабочей поверхности запорного слоя диода и зависит от напряжения, приложенного к вентилю. Действие емкости диода сводится к тому, что при относительно высокой частоте выпрямляемого тока сопротивление запорного слоя оказывается соединенным параллельно собственной емкости, в результате чего сопротивление этого участка цепи уменьшается с ростом частоты тока. При некоторой достаточно высокой частоте тока сопротивление емкости диода оказывается меньше сопротивления запорного слоя, в результате чего вентильные свойства диода пропадают - он начинает одинаково хорошо проводить ток как в прямом, так и в обратном направлениях. Таким образом, собственная емкость диодов ограничивает возможность использования селеновых вентилей в цепях тока высокой частоты.  [10]

11 Зависимость барьерной ем - [ IMAGE ] Эквивалентная схема кости диода Д901А от величины об - диода. [11]

Качество выпрямления характеризуется отношением обратного сопротивления диода к прямому. Обратное сопротивление диода, как видно из эквивалентной схемы, определяется параллельным соединением гп и реактивного сопротивления емкости С. С повышением частоты сопротивление емкости падает, что приводит к уменьшению с частотой обратного сопротивления диода и снижению коэффициента выпрямления. На частотах, при которых сопротивление емкости становится сравнимым с г0, вентильные свойства диода практически исчезают. Поэтому в диодах, предназначенных для работы на высоких частотах, стремятся уменьшить емкость р-п переходов, делая их точечными. Кроме того, сопротивление полупроводникового материала выбирается малым для снижения прямого сопротивления диода.  [12]

Селеновый вентиль состоит из алюминиевого диска, с одной стороны покрытого слоем кристаллического селена, обладающего дырочной проводимостью, который служит одним электродом. Другим электродом является нанесенный на селен слой сплава кадмия и олова, при диффузии из которого атомов кадмия в селен образуется слой, обладающий электронной проводимостью. Селеновые вентили имеют значительно меньшие обратные напряжения ( до 60В) и плотности тока ( 0 1 - 0 2 А / см2), чем германиевые и кремниевые, так что их габариты и масса значительно больше. Однако характеристики селеновых вентилей более стабильны, что позволяет соединять их последовательно и параллельно для увеличения обратных напряжений и прямых токов. Кроме того, селеновые вентили обладают свойством самовосстановления, которое сводится к следующему: если через пробитую шайбу пропустить большой ток, то селен нагревается и плавится, закрывая место пробоя и восстанавливая вентильное свойство диода.  [13]



Страницы:      1