Выпрямляющее свойство

Cтраница 4

Для того чтобы полупроводниковый диод проявил свое выпрямляющее свойство, необходимо, чтобы входное ВЧ напряжение было более некоторого минимального значения, определяемого полупроводниковым материалом, из которого сделан кристалл диода. Поэтому для детектора приемника можно рекомендовать только германиевые диоды, причем те из них, которые обеспечивают наибольший прямой ток при минимальном напряжении. Обычно детекторные дно-дьихравнивают по значению прямого тока при напряжении 1 В: чем больше прямой ток, тем лучше будет работать детектор приемника с таким диодом. [46]

Контакт металла с поверхностью однородного кристалла обладает выпрямляющими свойствами, которые не зависят от материала электрода, но значительно ухудшаются при снижении давления окружающего воздуха. [47]

Граница между металлической медью и CiuO обладает выпрямляющим свойством, поэтому оксид меди ( [ [) применяется для изготовления купрок-спых выпрямшелей переменного тока. Медный купорос широко применяется в гальванотехнике, для протравливания зерна, выделки кож, в медицине. [48]

Схема установки для определения типа проводимости полупроводниковых материалов по вольтамперной характеристике контакта. [49]

Определение типа проводимости этим методом основано на выпрямляющих свойствах точечного контакта металл - полупровод-кик. В электронном полупроводнике ( - типа) прямой ток направлен от полупроводника к металлическому острию, а в дырочном - в противоположном направлении. [50]

Запирающийся слой на контакте металл - полупроводник обусловливает выпрямляющие свойства такого контакта при прохождении через него электрического тока. В равновесном состоянии диффузионный ток основных носителей, вызванный градиентом концентраций, будет компенсироваться дрейфовым током неосновных носителей в контактном поле. [51]

Запирающий слой на контакте металл - полупроводник обусловливает выпрямляющие свойства такого контакта при прохождении через него электрического тока. В равновесном состоянии диффузионный ток основных носителей, вызванный градиентом концентраций, будет компенсироваться дрейфовым током неосновных носителей в контактном поле. [52]

Выпрямленный ток смесительного диода / вп.с. д определяет выпрямляющие свойства СВЧ-диода на рабочей частоте и потери преобразования. Величина выпрямленного тока измеряется при подаче на диод фиксированного уровня мощности. [54]

Перед выдержкой на воздухе эти приборы не обладают выпрямляющими свойствами; в процессе старения их коэффициент выпрямления возрастает и достигает обычных значений, наблюдавшихся и другими исследователями. Степень снижения Л зависит от продолжительности выдержки на воздухе, в то время как диодный коэффициент не меняется. Эти эффекты объясняют увеличением Фь, что также согласуется с результатами измерений Voc и фотоэмиссионных спектров в инфракрасной области. [55]

При этом обратное сопротивление выпрямителя возрастает и улучшаются его выпрямляющие свойства. [56]

Схема формовки на переменном токе. [57]

После нанесения катода селеновый элемент конструктивно оформлен, по выпрямляющие свойства его недостаточны. Для улучшения этих свойств элемент должен быть подвергнут электрической формовке. Формовка производится путем более или менее длительного приложения к элементу постоянного напряжения в запирающем направлении. Величина балластного сопротивления R зависит от размера элементов. Формовочное напряжение составляет 30 - 40 в, время формовки - несколько часов. В процессе формовки происходит перераспределение напряжения между сопротивлением R и формуемыми элементами. Вначале, пока сопротивление элементов мало, значительная доля напряжения падает на балластном сопротивлении. В ходе формовки сопротивление элементов увеличивается, общий ток в цепи уменьшается, а напряжение на элементах возрастает. [58]

Накопление неосновных носителей заряда ( дырок вблизи омического перехода между металлом и полупроводником при наличии внешнего электрического поля. [59]

При наличии обедненного или инверсного слоя переход Шотки обладает выпрямляющими свойствами, так как внешнее напряжение, падая в основном на высокоомном переходе, будет изменять высоту его потенциального барьера, изменяя условия прохождения носителей заряда через переход. [60]

Страницы: 1 2 3 4