Cтраница 1
Электролюминесцентные свойства обнаруживают также выращенные переходы на карбиде кремния в том случае, если плоскость р - п перехода параллельна оптической оси кристалла. Для выращенных переходов характерны более низкие значения плотности тока при значительно больших падениях напряжения. [1]
В работе [37] описан способ приготовления и электролюминесцентные свойства ЭЛ SrS-Cu-Eu. Данный люминофор синтезирован путем прокаливания смеси, содержащей соли стронция и элементарную серу, в присутствии плавня - фторида кальция. [2]
![]() |
Электрофизические свойства халькогенидов Zn, Cd, Hg. [3] |
Сульфид цинка проявляет фоторезистивные, фото - и электролюминесцентные свойства, обладает пьезоэлектрическим эффектом. Это соединение широко используется как составная часть люминофоров, в том числе в твердых растворах е ZnSe и CdS, Монокристаллы ZnS имеют высокую оптическую прозрачность в инфракрасной области спектра и используются для изготовления входных окон и линз в оптоэлектронных устройствах. Пьезоэлектрические пленки ZnS применяются в акустических устройствах. [4]
Селенид цинка обнаруживает фоторези-стивные, фото - и электролюминесцентные свойства. Имеет высокую оптическую прозрачность в инфракрасном диапазоне ( рис. 21.10), в виде оптической керамики КО-4 применяется для изготовления входных окон и линз. [6]
Электрофизические, оптические, фотоэлектрические, фото - и электролюминесцентные свойства карбида кремния были предметом многочисленных исследований. В результате этих исследований была выяснена природа собственной и примесной электропроводности карбида кремния. Было установлено, что примеси элементов V группы ( азот и фосфор) сообщают монокристаллам SiC л-тип проводимости, а примеси элементов III группы - / 7-тип проводимости. Зеленый цвет кристаллов обусловлен примесью азота, а синий или черный - примесью алюминия. Была изучена акцепторная и донорная роль отдельных примесей, ориентировочно определена глубина залегания акцепторных и донорных уровней, подвижность носителей тока и их эффективные массы. [7]
Электрофизические, оптические, фотоэлектрические, фото - и электролюминесцентные свойства карбида кремния были предметом многочисленных исследований. В результате этих исследований была выяснена природа собственной и примесной электропроводности карбида кремния. Было установлено, что примеси элементов V группы ( азот и фосфор) сообщают монокристаллам SiC n - тип проводимости, а примеси элементов III группы - / 0-тип проводимости. Зеленый цвет кристаллов обусловлен примесью азота, а синий или черный - примесью алюминия. Была изучена акцепторная и донорная роль отдельных примесей, ориентировочно определена глубина залегания акцепторных и донорных уровней, подвижность носителей тока и их эффективные массы. [8]
При разработке приложений карбида кремния интерес был сконцентрирован главным образом на его электролюминесцентных свойствах. Были обнаружены полосы излучения, охваты - вающие весь видимый спектр и связанные с введением в кристалл различных примесей. Последняя была приписана межзонной рекомбинации. [9]
Известный интерес представляет работа Ванмакера с сотрудниками [10] о влиянии содержания активатора и соактиватора на электролюминесцентные свойства люминофора ZnS-Cu-Br. [10]
Из газовой фазы удобно выращивать кристаллы фосфидов, поскольку при этом отпадает необходимость в поддержании высоких равновесных давлений при температуре плавления Выбор методов выращивания для соединений AInBv определяется тем, нужны ли тонкие пленки или массивные кристаллы, а также требуемыми электрическими свойствами. От методики выращивания могут очень сильно зависеть электронные характеристики кристаллов. В особенности это относится к электролюминесцентным свойствам. Вообще здесь можно исходить из того, что в однокомпонентной системе образуются более чистые кристаллы, а выращивание в многокомпонентных системах дает преимущество низких температур. Но в действительности обычно не удается детально объяснить, почему, например, фосфид галлия, выращенный из раствора, обладает лучшими электролюминесцентными свойствами, нежели полученный другими способами. [11]
Поликристаллический селенид цинка получают при взаимодействии Zn с парами Se, осаждением из водных растворов солей. Монокристаллы кубической сингонии выращивают из паровой фазы и из расплава, а монокристаллы гексагональной сингонии - только из паровой фазы. Пленки ZnSe получают термическим испарением соединения при конденсации на подложке с температурой 150н - 250 С. Селенид цинка проявляет фоторезистивные, фото - и электролюминесцентные свойства, а также обнаруживает высокую оптическую прозрачность в инфракрасной области спектра и используется в виде оптической керамики для изготовления входных окон и линз в оптоэлектронных устройствах. [12]
В настоящее время наиболее широкое применение в электролюминесцентных приборах находит люминофор на основе сульфида цинка ZnS с легирующими добавками, способствующими возникновению электролюминесценции. Медь и алюминий и подобные им элементы, как правило, применяются в качестве активаторов, а галоиды ( например, хлор и бром) чаще всего применяются в качестве коактива-торов. Выбор элементов и их процентного содержания определяют цвет свечения, рабочее напряжение, частотную характеристику, а также и срок службы ЭЛ-ячейки. Приемлемые электролюминесцентные свойства можно получить и при использовании модификаций основных материалов, например при использовании систем Zn ( S, Se) и ( Zn, Cd) S, совместно с соответствующими легирующими присадками. [13]
Из газовой фазы удобно выращивать кристаллы фосфидов, поскольку при этом отпадает необходимость в поддержании высоких равновесных давлений при температуре плавления Выбор методов выращивания для соединений AInBv определяется тем, нужны ли тонкие пленки или массивные кристаллы, а также требуемыми электрическими свойствами. От методики выращивания могут очень сильно зависеть электронные характеристики кристаллов. В особенности это относится к электролюминесцентным свойствам. Вообще здесь можно исходить из того, что в однокомпонентной системе образуются более чистые кристаллы, а выращивание в многокомпонентных системах дает преимущество низких температур. Но в действительности обычно не удается детально объяснить, почему, например, фосфид галлия, выращенный из раствора, обладает лучшими электролюминесцентными свойствами, нежели полученный другими способами. [14]
Проблема определения примесей в сложных полупроводниковых соединениях аналогична проблеме анализа элементарных соединений. Как и для элементарных полупроводниковых материалов, нерегулируемые примеси чаще всего отрицательно влияют на полупроводниковые свойства. В то же время специально вводимые примеси требуют точной дозировки, контроля в процессе их введения и в процессе гомогенизации. Такие дозированные примеси могут обеспечивать необходимые, заранее заданные свойства. Так, например, для ZnS таким активатором являются сера и некоторые другие элементы при определенном оптимальном их содержании. Отклонения от этого оптимального содержания сильно ухудшают электролюминесцентные свойства сульфида цинка. При этом большую роль играет гомогенизация полученного активированного соединения. Химический локальный контроль вдоль слитка и по его разрезам совместно с рентгеновским, физическим и микроструктурным исследованиями может дать ценные указания на оптимальный режим гомогенизации. Таким образом, химический контроль содержания таких примесей необходим для получения наиболее эффективных полупроводниковых соединений. [15]