Электрофизическое свойство

Cтраница 2

Температурный ход постоянной Холла нелегированного теллу - Ра. [16]

Электрофизические свойства теллура доказывают его полупроводниковую природу. Ввиду малой ширины запретной зоны чистый теллур уже при комнатной температуре обладает собственной проводимостью. Его удельная проводимость составляет десятки единиц. [17]

Электрофизические свойства стали и окалины неодинаковы - окалина является катодом по отношению к стали и более стойка к влаге, чем сталь, поэтому процесс ржавления сталрг происходит под слоем окалины. В результате ржавления крошки окалины начинают отслаиваться от стали, так как сцепление ее с металлом частично нарушается. [18]

Электрофизические свойства керамики самым тесным образом связаны с составом и структурой кристаллических фаз, образующих данный вид керамики, с составом стекловидного вещества и соотношением кристаллической и стекловидной фаз в керамике. Кристаллические фазы керамических материалов в подавляющем большинстве случаев характеризуются преимущественно ионными связями. [19]

Электрофизические свойства углеродных материалов непосредственно связаны с их структурой. [20]

Свойства тонких пленок тантала и нитрида тантала. [21]

Электрофизические свойства пленки а-тантала приведены в табл. 12.5. Из-за больших механических напряжений в пленке, недостаточно хорошей адгезии к подложкам и высокого значения а, пленки а-тантала широко не применяются для изготовления элементов микросхем. [22]

Электрофизические свойства полупроводниковых материалов определяются шириной запрещенной зоны, энергией активации, подвижностью неосновных носителей заряда и рядом других параметров. [23]

Электрофизические свойства пропитанных картонов в сильных электрических толях до сего времени еще недостаточно полно изучены. [24]

Электрофизические свойства органических соединений тесно связаны с их оптическими свойствами, которые также определяются электронным строением их молекул, наличием сопряжения и свойствами л-электронов. Изучение молекулярного строения, спектров поглощения, положения и структуры этих спектров может дать важные сведения для правильного понимания механизма электрических и фотоэлектрических процессов в органических полупроводниках, для предсказания возможности появления в тех или иных соединениях полупроводниковых свойств. В свою очередь изучение электрических явлений в органических соединениях помогает проникнуть в структуру вещества, и сведения, получаемые этим методом, позволяют нам уточнить наши представления о строении молекул, о характере внутри - и межмолекулярных взаимодействий. [25]

Электрофизические свойства коммутационных проводников и контактных площадок в значительной степени определяются свойствами применяемых материалов, к которым предъявляются следующие требования: высокая электропроводность; хорошая адгезия к подложке; высокая коррозионная стойкость; обеспечение низкого и воспроизводимого переходного сопротивления контактов; возможность пайки или сварки выводов навесных компонентов и проволочных перемычек, используемых для электрического соединения контактных площадок платы с выводами корпуса; совместимость технологии нанесения пленочных коммутационных проводников и контактных площадок с технологией изготовления других элементов микросхем. Самым распространенным материалом тонкопленочных проводников и контактных площадок в ГИС повышенной надежности является золото с подслоем хрома, нихрома или титана. Подслой обеспечивает высокую адгезию, а золото - нужную электропроводность, высокую коррозионную стойкость, возможность пайки и сварки. Толщина пленочного проводника обычно составляет 0 5 - 1 0 мкм. [26]

Магнитная восприимчивость селенидов ниобия в зависимости от температуры. [27]

Электрофизические свойства селенидов ванадия не изучены. Как следует из рисунка, NbSe2 ведет себя подобно металлу. [28]

Электрофизические свойства карбида кремния относятся только к - модификации. Хотя p - SiC образуется довольно легко ( при 1700 - 1800 С), он не образует крупных кристаллов, на которых можно было проводить измерения. При любых известных способах синтеза размеры кристаллов [ З - SiC не превышают 1 мм. Поэтому о свойствах [ 3-моди-фикации карбида кремния практически не имеется никаких сведений. [29]

Электрофизические свойства полупроводниковых соединений весьма чувствительны к отклонениям от стехиометрического состава. В отличие от металлов полупроводники хрупки и менее теплопроводны, хуже отражают видимые лучи. [30]

Страницы: 1 2 3 4