Cтраница 2
Результаты сведены в табл. IV.28. Из таблицы видно, что концентр ацин носителей и холловские подвижности для всех образцов мало отличаются друг от друга, за исключением образцов, легированных медью, которые имеют положительные величины коэффициента Холла при 78 К. Для других примесей коэффициент Холла меняется незначительно, поскольку нулевое значение коэффициента Холла находится около 78 К, поэтому лишь небольшое изменение в общей концентрации акцептора приводит к заметному изменению в значении. Сделан вывод, что в HgTe, выращенном из жидкой фазы и не подвергается предварительной обработке, Си является ионизированной акцепторной првмесью, a J, As Si, AI, Zn и Na либо совсем не оказывают влияния, либо слабо действуют на электрофизические свойства материала. Из экспериментов по диффузии также было показано [387], что медь в HgTe является ионизированной акцепторной примесью. [16]
Исследования электрофизических свойств полупроводников в условиях механической деформации представляют значительный интерес как научный, так и практический. Они дают информацию об энергетическом спектре электронов, о связи его характеристик с симметрией кристаллической структуры, с величиной межатомных расстояний. Сильные деформации позволяют в широких пределах управлять электрофизическими свойствами материалов, особенно узкозонных, осуществлять полиморфные превращения с кардинальными изменениями свойств, например, переходы металл - диэлектрик. [17]