Связь - транзистор
Cтраница 2
Во время приема ЧМ сигналов на УКВ диапазоне в коллекторной цепи транзистора 7 j - 2 включен полосовой фильтр ПЧ с индуктивной связью, настроенный на частоту 6 5 Мгц. Связь транзистора Ti - t усилителя ПЧ с фильтром ПЧ, настроенным на частоту 465 кгц, внутриемкостная, а с фильтром ПЧ частотно-модулированных сигналов ( 6 5 Мгц) индуктивная. [16]
Для получения усиления по постоянному току применяется ряд схем. Хотя основное внимание уделяется реостатной связи транзисторов, будет рассмотрено также применение прерывателей или модуляторов. [17]
При запирании транзисторов их входные и выходные проводимости уменьшаются, что сужает полосу пропускания усилительных каскадов. Для ослабления указанных нежелательных явлений рекомендуется уменьшать связь транзисторов с входными я выходными контурами и выбирать коэффициент включения контуров на 25 - 30 % меньше оптимального, что, естественно, несколько снижает усиление каскадов. [18]
 |
Включение транзистора структуры п-р - п в трех основных схемах. Обратите внимание на полярность батарей. [19] |
В ходе предыдущих бесед Любознайкин и Незнайкин изучили работу одиночного транзистора. Теперь они хотят рассмотреть схемы с несколькими транзисторами и способы связи транзисторов между собой, Цепи связи должны передавать последующему транзистору мощность, отдаваемую предшествующим транзистором. [20]
 |
Зависимость входного сопротивления от коэффициента коррекции фазы при / 27 - Ю6 Гц. 00 5. Q 300. [21] |
Для диапазонных автогенераторов коррекция фазы, оптимально осуществленная в одной точке перекрываемого диапазона, будет неоптимальной на других частотах. Чем больше коэффициент перекрытия по частоте и чем относительно выше рабочие частоты, тем больше будет сказываться неоптимальность коррекции; для того чтобы устра - нить или свести к минимуму это нежелательное явление, необходимо применять переменную связь транзистора с колебательным контуром. [22]
 |
Принципиальная схема УВС. [23] |
В УПЧЗ полнее, чем в УПЧИ, используются усилительные свойства транзисторов. Однако и здесь необходимо принимать меры к тому, чтобы изменение параметров транзисторов не влияло на форму резонансной кривой. Для этого связь транзисторов с контурами делается слабой, и вносимые в контур дополнительные сопротивления будут небольшими. [24]
Какой транзистор работает смесителем частоты, а какой - в гетеродине. Какой контур настроен на / Пр. Почему применяется неполная связь транзисторов с соответствующими контурами. [25]
ЗГ Показано теоретически и экспериментально подтверждено, что небольшое рассогласование при уменьшении связей повышает глубину регулировки и снижает изменение полосы пропускания в большей степени, нежели уменьшает коэффициент усиления. Это дает возможность выбрать связи таким образом, чтобы существенно повысить глубину регулировки и снизить изменение полосы пропускания без большой потери усиления. В частности, если уменьшить связь регулируемого транзистора с контурами на 40 % ( по сравнению с оптимальной), то при этом глубина регулировки повышается вдвое; изменение полосы пропускания снижается также в два раза. [26]
Гетеродин AM собран на транзисторе Т5 и выполнен по схеме индуктивной трехточки. Транзистор включен по схеме с общей базой и автотрансформаторной связью в цени эмиттера. Для повышения стабильности частоты гетеродина при изменении напряжения источника питания связь транзистора Т5 с контурами уменьшена путем включения резистора R47 в цепь коллектора и делителя из резисторов R46, R48 в цепь эмиттера. Эти же резисторы уменьшают влияние разброса параметров транзисторов на работу гетеродина. [27]
 |
Схема цепей усиливаемого тока импульсного усилителя ( а и графики, иллюстрирующие коррекцию вершины ( б и фронта ( в выходного импульса. [28] |
Конденсаторы связи С8Х, С и конденсатор Сэ схемы реального импульсного усилителя ( рис. 12.9, а) практически не оказывают влияния на фронт импульса, поскольку их емкости обычно настолько большие, что в течение времени ty установления фронта ток беспрепятственно проходит в нагрузку. Однако именно они обусловливают спад вершины импульса, уменьшая по мере их заряда входной и выходной токи. Полное устранение спада вершины импульса возможно только при гальванических ( непосредственных) связях транзистора с источником сигнала и нагрузкой. [29]
Конденсаторы связи Свх, Свых и конденсатор Сэ схемы реального импульсного усилителя ( рис. 15.9, а) практически не оказывают влияния на фронт импульса, поскольку их емкости обычно настолько большие, что в течение времени t установления фронта ток беспрепятственно проходит в нагрузку. Однако именно они обусловливают спад вершины импульса, уменьшая по мере их заряда входной и выходной токи. Полное устранение спада вершины импульса возможно только при гальванических ( непосредственных) связях транзистора с источником сигнала и нагрузкой. [30]
Страницы: 1 2 3