Cтраница 2
В одномерных металлах поверхность Ферми состоит из двух плоскостей: / еР и - / ер. Процессы рассеяния электронов с сохранением энергии происходят только между этими плоскостями и сопровождаются изменением импульса на 2 / ер. Именно при этом значении импульса максимально проявляется электрон-фононная связь. [16]
Провалы, выжженные при Т - 2 5 К при использовании импульсного лазера на красителе с X 491 5 нм, проявляют отчетливый бесфононный провал и два почти симметричных боковых однофононных провала. Отношение интенсивностей бесфононной и однофононной полос в провале дало величину константы электрон-фононной связи, равную - 0 9 см 1 при энергии фононов - 40 см -; это относится к тем фононам, которые наиболее сильно взаимодействуют с данным электронным состоянием. [17]
Поперечный импульс фонона ( q) эффективно взаимодействующего с электроном в магнитном поле, ограничен сверху величиной, равной магнитному импульсу рн, продольная же составляющая / ц определяется законами сохранения энергии и импульса при циклотрон-фононных переходах. В непосредственной близости от резонанса основной вклад в КП дают электронные переходы между уровнями Ландау ( г 6ц 0), где плотность состояний велика. Поэтому из закона сохранения импульса следует, что величина / ц предельно мала и в выражении для В ( q) ее можно не учитывать. Зависимость В ( q) от qL отражается лишь на г о-ведении интенсивности переходов Wn - в зависимости от / и /, которая для нас несущественна. Из соотношения (10.10) вместе с тем следует, что сингулярность ЦФ пика является логарифмической. По мере удаления от резонанса в электронных переходах начинают участвовать фононы с большими импульсами и зависимость В ( q) от / ц становится существенной. Электрон-фононная связь ослабевает с ростом / ц, так что линия поглощения, по-видимому, здесь более узкая, чем в случае ДО механизма рассеяния. [18]