Оборванная связь

Cтраница 4

На практике, однако, ввиду многочисленности счетов и связей между ними представить всю корреспонденцию на одном листе бумаги проблематично. Поэтому прибегнем к следующему способу: разделим два корреспондирующих счета, а оборванную связь между ними обозначим с помощью ссылок. [46]

К аналогичным последствиям приводит и инжекция в пленки неравновесных носителей. Эти изменения обусловлены в основном изменением плотности состояний в щели подвижности из-за увеличения концентрации оборванных связей. Природа ответственных за эти явления метастабильных состояний пока до конца неясна, и в ее понимание упирается упирается решение проблемы повышения деградационной устойчивости приборов, создаваемых на основе гидрированных полупроводников. [47]

Основной вклад в поверхностную энергию гомеополярного полупроводника дает энергия, необходимая для разрыва связей. Таким образом, энергетически наиболее выгодной является поверхность ( il ll), поскольку плотность оборванных связей на ней минимальна. В этом случае на поверхности имеется лишь половина электронов, необходимая для того, чтобы заполнить зону гибридизованных состояний оборванных связей. Эта зона расположена в запрещенной зоне кристалла между валентной зоной и зоной проводимости. Поскольку состояния в ней заполнены лишь наполовину, поверхность претерпевает переход типа Яна - Теллера, называемый поверхностной реконструкцией: половина поверхностных атомов смещается в глубь кристалла по направлению к кристаллографической плоскости своих ближайших соседей, а другая половина смещается от поверхности, образуя почти перпендикулярные поверхности связи. При этом зона гибридизованных состояний оборванных связей выталкивается из запрещенной зоны, а с другой стороны, зона, сформированная состояниями связей, направленных внутрь, смещается в запрещенную зону. Реконструкция приводит к исчезновению носителей в приповерхностной области и, следовательно, привязывает уровень Ферми ( пиннинг уровня Ферми) в середине запрещенной зоны. [48]

Можно было бы ожидать, что переконструированная поверхность ( 111) гомешолярного полупроводника, рассмотренная в разд. Исходя из диаграммы энергетических уровней, мы с равным успехом можем в некоторые гйбрищизо-ванные состояния оборванных связей поместить по: два электрона, а другие оставить пустыми. В этом случае говорят, что система имеет вырожденное основное состояние. Теорема Яна - Теллера ( см. работу Яна и Теллера [234], а также книгу Кубо и Нагамия [235], стр, 456) утверждает, что система, находящаяся в вырожденном Основном состоянии, спонтанно деформируется, понижая свою симметрию до тех пор, пока не останется лишь вырождение по спину. [49]

Следовательно, фосфор ведет себя почти так же, как атом водорода, и стабилизирует поверхность точно тавим же способом, делая поверхностные атомы нейтральными. Атом алюминия приводит к тем же самым эффектам, но в этом случае гибридизова нное состояние оборванной связи остается пустым. [50]

Нереконструированные поверхности гомеополярного полупроводника. Направление [ НО ] перпендикулярно плоскости чертежа. Атомы, соединенные на рисунке наклонными. вязями, являются ближайшими соседями. [51]

Каждая из поверхностей, указанных на рисунке, перпендикулярна плоскости чертежа. Например, мы видим, что каждый атом на поверхности ( 111) имеет одну гибридизованную орбиталь оборванной связи, перпендикулярную этой поверхности и лежащую в плоскости чертежа. [52]

Еще один вариант реконструкции типа ( 2X1) на поверхности ( 100) можно получить, если удалить все поверхностные атомы, показанные на рис. 10.7, а. Число разорванных связей опять не меняется, однако теперь на [ каждый атом с двумя гибридизованньши орбиталями оборванных связей приходится два a TOMia, каждый из которых обладает одной га. [53]

Зависимости коэффициентов оптического поглощения пленок аморфного кремния, содержащего и не содержащего водород, от энергии фотонов излучения. [54]

Как видно из рисунка, для пленки a - Si: Н, кривая сдвинута вправо - в область фотонов большей энергии - и имеет более крутой характер. Это объясняется, с одной стороны, меньшей концентрацией локализованных состояний в запрещенной зоне гидрогенизированно-го аморфного кремния вследствие залечивания оборванных связей атомов кремния атомами водорода. [55]

В приближении взаимодействия только ближайших соседей поверхностная энергия Eso, отнесенная к единичной площади поверхности, пропорциональна числу оборванных связей и не зависит от размера атомной группировки. Однако если принять во внимание взаимодействие более удаленных соседей, то у атомов, расположенных на ребрах и вершинах кристаллитов, число оборванных связей оказывается меньше, чем у атомов, лежащих на гранях. [56]

Адсорбция атомов на поверхности может привести к существенным изменениям картины реконструисвдии и электронных поверхностных состояний, поскольку адсорбированные атомы вступают в химическую связь с гибридизованными ор-биталями оборванных связей. Рассмотрим модель, в которой каждый атом водорода находится над одним из поверхностных атомов и вступает в химическую связь с гибридизованной орбиталью оборванной связи этого атома. При этом связывающее состояние рассматриваемого поверхностного атома оказывается занятым двумя электронами, что приводит к устранению причины реконструкции. Такая модель согласуется с экспериментами Айбаха и Роу, в которых они обнаружили, что манослой адсорбированных атомов приводит к исчезновению сверхструктуры ( 2X1) на реконструированной поверхности, и с их объяснением этого явления. [57]

Страницы: 1 2 3 4