Cтраница 1
Монокристаллическое вещество М, имеющее призматическую форму, располагается между полюсами N и S магнита. [1]
Монокристаллическое вещество М, имеющее призматическую форму, располагается между полюсами магнита. Принцип действия этом в полупроводниковом моно - термомагиитного охладителя, кристалле возникает градиент температур в направлении, перпендикулярном как току, так и магнитному полю. При расположении полюсов магнита и тока, показанном на рис. 7 - 20, - верхняя грань монокристалла будет нагреваться, а нижняя охлаждаться. [2]
Достигнуты успехи в синтезировании монокристаллических веществ, обладающих ничтожно малыми потерями энергии вдали от ферромагнитного резонанса. Это позволило использовать вещества как колебательные контура с высокой добротностью. [3]
![]() |
Аморфизация поверхностного слоя кремния в результате ионной имплантации. [4] |
Расположение атомов и ионов на поверхности даже чистых монокристаллических веществ отличается от идеального кристаллографического порядка. Ввиду термодинамической необходимости понижения поверхностной энергии происходит изменение структуры поверхности. Порядок атомов, свойственный объему кристалла, не сохраняется и непосредственно под поверхностью. Эти аномалии заметно проявляются в высокодисперсных веществах ( порошках), когда относительное и абсо лютное число поверхностных атомов резко возрастает. [5]
Наряду с рассматривавшейся выше пьезоэлектрической керамикой, которая обнаруживает макроскопический пьезоэлектрический эффект только после процесса поляризации, имеется также ряд монокристаллических веществ, которые являются пьезоэлектрическими в связи с особенностями своей внутренней структуры. Нижеследующие соображения, относящиеся к пьезоэлектрическим константам, характеризующим материал, распространяются и на все пьезоэлектрические вещества. Так как эти вещества используются для контроля материалов, главным образом, в форме пластин для возбуждения акустических колебаний и служат для их преобразования в электрические сигналы, их сокращенно именуют излучателями или преобразователями. [7]
При помощи специальных масок можно выращивать слои, по-разному активированные в разных частях подложки; нанося и удаляя маски в разных последовательностях, можно получать сложные трехмерные распределения монокристаллического вещества со сложными профилями концентраций. Такие методы, при которых во время диффузии применяют маски, играют важнейшую роль в технологии монолитных электронных схем. [8]
Однако сохранять лишь постоянство температуры недостаточно. Необходимо, чтобы постоянным был и состав пара, из которого растут кристаллы. В проточных системах с газом-носителем это условие обычно выполняется, а в замкнутых вариантах с исходной легированной шихтой не выполняется, поскольку при нагревании состав шихты изменяется во времени из-за различия в давлениях пара основного материала и лигатуры. Указанная трудность преодолевается при одновременном и полном испарении небольшой порции исходного материала. Для того чтобы добиться постоянства температуры и состава пара, трубку с поликристаллическим материалом перемещают относительно печи таким образом, чтобы количество поликристаллического материала, поступающего в горячую зону, соответствовало количеству монокристаллического вещества, выходящего из нее. Очевидно, зонную сублимацию можно использовать, когда давление пара лигатуры достаточно для того, чтобы она могла испариться одновременно с основным материалом. В противном случае примесь остается в зоне испарения, что приводит к очистке ( зонная очистка через паровую фазу, см. разд. [9]
Из табл. 1 видно, что в величинах приведенных энергий активации наблюдаются заметные расхождения. Пик и Виссман [131] показали, что для нафталина Е зависит от окружающей атмосферы. Однако в недавней работе Борнмана [14] указывается, что более высокие значения энергии получаются вследствие явлений, наблюдаемых в загрязненном нафталине до его плавления. Следует отметить, что Инокути [68] измерял зависимость объемного тока от температуры, тогда как все другие результаты относятся к поверхностным токам или к токам, проходящим через очень тонкие кристаллы, где поверхностные эффекты играют главную роль. Нортроп [129] повторил эти измерения, проведенные для пленок антрацена, на монокристаллическом веществе и получил такое же значение энергии активации. В заключение можно сказать, что хотя точного численного значения энергии активации не получено, эта величина имеет порядок 1 эв. [10]