Нек-рое вещество

Cтраница 4

Анизотропия К, означает зависимость большинства их свойств, напр, теплопроводности, оптических, электрических, механических, от внеш. Симметрия К, заключается в том, что разл, признаки - внеш. Анизотропия скоростей роста граней кристаллич. Нек-рые вещества ( м е з о г е н ы) переходят в жидкокристаллич. Большинство твердых материалов являются лоли-кристаллическими; они состоят из множества отдельных беспорядочно ориентированных мелких кристаллич. [46]

Отмечаем следующие виды В. Фукса обусловливается невидимому хемилюминесцепцией, происходящей при окислении иек-рых химич. Доступ паров нек-рых веществ, как напр, терпентина и смол, сообщает зернам галоидного серебра способность проявляться; это объясняется образованием в результате разложения указанных веществ перекиси водорода, очупстпллю щей зерна. [47]

Схема Паскаля ( вариант Паскаля-Оарб. [48]

В этих антиферромагнотиках при низких темп-рах силы взаимодействия между носителями момента столь велики, что в отсутствии внешнего поля магнитные моменты оказываются ориентированными по отношению друг к другу. В одних антиферромагнетиках эта ориентация приводит к полной взаимной компенсации моментов ( напр. В ферромагнетиках наблюдается полный взаимный параллелизм всех магнитных моментов. Всякий раз, когда на поверхности катализатора происходит хемосорбция посторонних атомов или молекул, возникает изменение магнитных моментов катализатора за счет образования двухэлектрошшх связей. Разумеется, обнаружение этих изменений в магнитных свойствах возможно только в том случае, если катализатор изучается в мелкодисперсной форме, при к-рой роль поверхностных слоев доминирует над ролью объема вещества. Однако нек-рые вещества в очень мелкодисперсном виде обнаруживают крайне неожиданные свойства, резко отличные от свойств тех же сплошных веществ, что сильно затрудняет интерпретацию опытов. Среди исследователей нет еще установившегося мнения относительно всех этих опытных данных. Возможно, что некоторые из этих результатов обусловлены ферромагнитным загрязнением ( об этих загрязнениях см. ниже), внесенным в образец в процессе их изготовления. Впрочем, теория магнетизма показывает, что процессы намагничивания ферро - и антиферромагнитных веществ в мелкодисперсном виде имеют свою специфику, которую также необходимо учитывать в такого рода исследованиях. [49]

Схема Паскаля ( вариант Паскаля-Оарй. [50]

В этих антиферромагнстиках при низких темп-рах силы взаимодействия между носителями момента столь велики, что в отсутствии внешнего поля магнитные моменты оказываются ориентированными по отношению друг к другу. В одних антиферромагнстнках эта ориентация приводит к полной взаимной компенсации моментов ( напр. В ферромагнетиках наблюдается полный взаимный параллелизм всех магнитных моментов. Всякий раз, когда на поверхности катализатора происходит хемосорбция посторонних атомов или молекул, возникает изменение магнитных моментов катализатора за счет образования двухэлектропных связей. Разумеется, обнаружение этих изменений в магнитных свойствах возможно только в том случае, если катализатор изучается в мелкодисперсной форме, при к-рой роль поверхностных слоев доминирует над ролью объема вещества. Однако нек-рые вещества в очень мелкодисперсном виде обнаруживают крайне неожиданные свойства, резко отличные от свойств тех же сплошных веществ, что сильно затрудняет интерпретацию опытов. Среди исследователей нет еще установившегося мнения относительно всех этих опытных данных. Возможно, что некоторые из этих результатов обусловлены ферромагнитным загрязнением ( об этих загрязнениях см. ниже), внесенным в образец в процессе их изготовления. Впрочем, теория магнетизма показывает, что процессы намагничивания ферро - и антиферромагнитных веществ в мелкодисперсном виде имеют свою специфику, которую также необходимо учитывать в такого рода исследованиях. [51]

Кристаллографическая плотнейшая ( вверху и пентаго-нальная ( внизу упаковки. [52]

Атомные плоскости, образующие гладкую грань, почти полностью укомплектованы и содержат сравнительно небольшое число вакансий и атомов, адсорбированных в местах, соответствующих узлам кристаллич. В результате тепловых флуктуации ступень содержит пек-рое число трехмерных входящих углов - изломов. Присоединение новой частицы к излому не изменяет энергии поверхности и поэтому является элементарным актом роста кристалла. С увеличением отношения тепловой энергии kT к поверхностной анергии е ( в расчете на 1 атомное место на поверхности) плотность изломов увеличивается. Соответственно увеличивается конфигурац, энтропия и надает свободная линейная энергия ступени. Эта ситуация характерна для равновесия кристалл - пар, а также ( для нек-рых веществ) для границы кристалл-расплав. [53]

Страницы: 1 2 3 4