Сегне-тоэлектрик

Cтраница 1

Сегне-тоэлектрики являются ценными материалами для радио - и электротехнической промышленности. [1]

Исследуемый сегне-тоэлектрик находится между двумя электродами, образующими конденсатор емкостью С. Он помещается в термостат, температура которого может изменяться при помощи электрического нагревателя. [2]

Петля гистерезиса сегнетоэлектрика. [3]

Существование гистерезиса в сегне-тоэлектриках связано с наличием сегнетоэлектрических доменов - объемных областей, в каждой из которых дипольные моменты ориентированы одинаково, но в соседних доменах векторы Р направлены различно. Такие домены были обнаружены экспериментально в титанате бария. [4]

Многие из них являются сегне-тоэлектриками. [5]

Эллипсоиды показателей для разных типов кристаллов. [6]

Под действием электрического поля заряженные частицы сегне-тоэлектрика смещаются и колеблются, что приводит к изменению его оптических свойств. Тензор Tijk является тензором 3-го ранга. Линейный электрооптический эффект имеет место только в полярных ( ацентричных) кристаллах. [7]

Наиболее сильно пьезоэлектрический эффект выражен у сегне-тоэлектриков. Под сегнетоэлектриками понимают некоторые кристаллические вещества и поляризованные керамики, обладающие аномально высокой диэлектрической проницаемостью и аномально сильным пьезоэлектрическим эффектом. Типичным сегнетоэлектриком, нашедшим широкое применение, является сег-нетова соль. В последнее время в измерительной технике находят применение такие сегнетоэлектрики, как титанат бария и фосфат аммония. [8]

Существует также группа несобственных ( виртуальных) сегне-тоэлектриков. Они имеют большую, растущую при понижении температуры диэлектрическую проницаемость, но остаются пара-электриками вплоть до абсолютного нуля. Эти вещества переходят в сегнетоэлектрическое состояние только при каком-либо внешнем воздействии - приложении электрического поля, механического давления, введении примесей, образовании дефектов или нарушениях структуры кристаллической решетки. [9]

Проведены испытания свойств ниобатов и тантала-тов лития в качестве сегне-тоэлектриков; сведений о промышленном применении не имеется. [10]

Полученные величины ч сравнимы; с величинами, измеренными для других кислородно-октаэдрических сегне-тоэлектриков ( гл. [11]

Зависимость от температуры низкочастотной Л - моды сегнетоэлек-трической фазы SbSI. [12]

Эти результаты подтверждают заключение, что сульфоиодид сурьмы является сегнетоэлектриком типа перовскитных сегне-тоэлектриков. [13]

Согласно рассмотрению предыдущего раздела, другой важной характеристикой, определяющей диэлектрические свойства сегне-тоэлектриков, является поле отрыва доменных границ от дефектов. Данное поле является пороговым для начала амплитудной зависимости диэлектрических свойств и, в случае, когда стадия отрыва доменных границ от дефектов является ведущей в контроле за процессами переключения, может рассматриваться как коэрцитивное поле. Изменение со временем числа точек закрепления границы дефектами, описываемое выражением (9.6), приведет, очевидно, и к изменению поля отрыва доменных границ от дефектов. [14]

К оксидным полупроводникам с электронной электропроводностью относятся широко используемые в радиоэлектронике ферриты и сегне-тоэлектрики. [15]

Страницы: 1 2 3