Особочистое вещество - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Единственное, о чем я прошу - дайте мне шанс убедиться, что деньги не могут сделать меня счастливым. Законы Мерфи (еще...)

Особочистое вещество

Cтраница 1


Особочистое вещество поставляется в таре 500 и 25 г. Чем руководствоваться при заказе вещества в крупной или мелкой расфасовке.  [1]

Решение задачи поставки особочистых веществ требует усилий не только химической и металлургической промышленности. Прежде всего инженеры электронной техники должны разработать хорошо продуманные технические требования на материалы. Для этого же им необходимо знать физическую химию и разбираться в химической технологии. Особенно это важно, когда в соответствии с новыми техническими требованиями должны быть проведены специальные аналитические и производственные доработки в химической или металлургической промышленности и созданы опытные полупромышленные установки.  [2]

Решение задачи поставки особочистых веществ требует усилий не только химической и металлургической промышленности. Прежде всего инженеры электронной техники должны разработать хорошо продуманные технические требования на материалы. Для этого же им необходимо знать физическую химию и разбираться в химической технологии. Особенно это важно, когда в соответствии с новыми техническими требованиями должны быть проведены специальные аналитические и производственные доработки в химической или металлургической промышленности и созданы опытные полупромышленные установки. Если технические требования составлены без знания дела, обычно получается не совсем тот продукт, который нужен. Это озна - чает напрасный труд не только поставщиков, их научно-исследовательских и опытных производственных лабораторий, но и потребителей - брак в их производстве, срыв государственных планов.  [3]

Наиболее удобными методами анализа особочистых веществ на содержание малых и сверхмалых количеств примесей следует считать экстракционные методы, позволяющие проводить одновременное выделение и концентрирование больших групп элементов для их последущего спектрального определения.  [4]

Какие преимущества дает синтез особочистых веществ через скелетные структуры. Возможно ли при этом понижение скорости реакции при повышении температуры вопреки закону Аррениуса. Имеет ли при этом место нарушение существа закона.  [5]

При анализе примесей в особочистых веществах, наряду с обычными проблемами разделения всех, часто близких по свойствам, примесных компонентов сложной смеси, возникают новые, специфические проблемы, связанные с маскировкой зон примесных компонентов широкой зоной основного вещества.  [6]

В принципе подобные методы получения особочистых веществ следует признать очень перспективными, поскольку перевод компонента А в газовую фазу с оставлением, например, примеси В в твердой фазе - один из самых эффективных методов разделения. Кинетика таких процессов также очень велика. Важно только, чтобы химический компонент, с помощью которого А переводится в пар, не застревал в решетке А после его выделения из пара, как это имеет место при получении кремния через гидрид [ 7, стр.  [7]

В принципе подобные методы получения особочистых веществ следует признать очень перспективными, поскольку перевод компонента А в газовую фазу с оставлением, например, примеси В в твердой фазе - один из самых эффективных методов разделения. Кинетика таких процессов также очень велика. Важно только, чтобы химический компонент, с помощью которого А переводится в пар, не застревал в решетке А после его выделения из пара, как это имеет место при получении кремния через гидрид [7], стр.  [8]

Наиболее распространено мнение, что получение особочистых веществ - это прежде всего проблема глубокой очистки менее чистых фаз того же состава. Надо сказать, что такое мнение справедливо только отчасти. Вместо того чтобы получать сначала менее чистое вещество, погребая под миллионами атомов кристаллической решетки атомы примеси, во многих случаях разумнее осуществлять получение сразу возможно более чистого вещества.  [9]

Охарактеризуйте принятые в СССР классы чистоты полупроводников и особочистых веществ для полупроводниковой техники.  [10]

Охарактеризуйте принятые в СССР классы чистоты полупроводников и особочистых веществ для полупроводниковой техники. Обязательно ли надо требовать паспорт на особочистые вещества классов В.  [11]

Показано, что для концентрирования следов никеля при анализе особочистых веществ может быть использована экстракция его диоксиматов. Из тартратных растворов никель может быть сконцентрирован с помощью а-бензилдиоксима, гептоксима, ниоксима и диметилглиоксима, из цитратных - при помощи а-бензилдиоксима.  [12]

В настоящее время для полупроводниковой техники не обязатель но нужны только особочистые вещества и монокристаллы. Для приборов, использующих термоэлектрические явления ( термоэлектрогенераторы, термисторы и др.), не требуются материалы очень высокой чистоты и монокристаллы.  [13]

Углеродные адсорбенты и материалы высокой чистоты могут найтч широкое применение в технологии особочистых веществ, производстве полупроводниковых приборов, воднохи-мических цехах атомных и тепловых электростанций, производстве катализаторов и электродов для химических источников тока, а также в качестве сорбентов для рекуперации паров ЛВЖ. В докладе рассмотрены основные способы получения пористых углеродных материалов высокой чистоты и показано, что метод экстракции минеральных примесей кислотами в наибольшей мере подготовлен для промышленного применения. Сопоставляются результаты экономических расчетов производства углеродных адсорбентов по двум различным технологическим схемам.  [14]

Одним из важнейших является поставленная в неслыханном до сего времени аспекте проблема особочистых веществ для полупроводниковой техники. Там указывалось, что чистый полупроводник с шириной запрещенной зоны в 1 эв имеет при комнатной температуре в зоне проводимости примерно 1011 электронов на 1023 атомов в 1 смя. Если каждый атом примеси, концентрация которой равна 10 10 ат. Очевидно, что граница чувствительности к примесям, смещаясь в ту или другую сторону, в зависимости от ширины запрещенной зоны полупроводника и от условий его применения лежит в среднем около 10 10 ат.  [15]



Страницы:      1    2