Высокое значение - энергия
Cтраница 1
Высокое значение энергии кристалличе но меньшее - энергии сольватации г позв римость безводных хлоридов иттрия, лант в ТБФ невелика. [1]
Высокие значения энергии соответствуют поглощению в дальней УФ-области, указывая, таким образом, на то, что энергия d - орбитали слишком велика для образования прочных связей. [2]
Высокие значения энергии дислокации и энергии взаимодействия дислокаций друг с другом и с примесными внедренными атомами могут привести к большой запасенной энергии уже в исходном состоянии. [3]
Высокие значения энергии резонанса были обнаружены для большого числа циклических систем, обладающих, подобно бензолу, замкнутой мезомерией и характеризующихся высокой устойчивостью. [4]
Высокие значения энергии когезии указывают на сильное притяжение. [5]
 |
Зависимость оптической ширины запрещенной зоны & Eg Ep ( 1 и энергии активации Eg ( 2 от состава твердых растворов при комнатной температуре. [6] |
Высокие значения энергий оптических переходов ( рис. 3) - свидетельствуют о наличии вырождения. [7]
Высокое значение энергии кристаллической решетки [8, 9] и значительно меньшее - энергии сольватации позволяет предположить, что растворимость безводных хлоридов иттрия, лантанидов так же, как и алюминия, в ТБФ невелика. Действительно, при растворении некоторых хлоридов упомянутых металлов были получены растворы, в которых молярные отношения ТБФ: МеС13 всегда значительно выше трех. [8]
Вследствие высокого значения энергии образования ионов 5д 1-реакшш в большинстве случаев имеют высокую энергию активации. Напротив, энтропия активации часто имеет лишь малую отрицательную величину, так как пространственные требования в переходном состоянии незначительны. [9]
Несмотря на высокие значения энергии света ( особенно ультрафиолетовых лучей), действующего а вещество, в конден-сиро. Это связано с перечисленными выше ограничениями. В силу эффекта клетки возможно также протекание противоположной фотолизу реакции соединения близко расположенных радикалов. [10]
При Т О высокие значения энергии менее вероятны, чем низкие. [11]
Для пигментов характерны высокие значения энергии запрещенной зоны и низкие значения проводимости. [12]
Последние авторы [19] получили высокие значения энергии потенциального барьера Vm для фосфинов и тригалогенидов фосфора, используя указанное Гло-клером [20] простое соотношение между, величиной изменения энергии и деформацией. [13]
 |
Распределение электронов иона Со3 по. [14] |
В случае же сильного поля ( высокое значение энергий расщепления) энергетически более выгодным будет размещение максимального числа электронов на йе-орбиталях; при этом создается низкоспиновый диамагнитный комплекс. [15]
Страницы: 1 2 3 4