Растворяющееся вещество
Cтраница 2
Подлежащее кристаллизации исходное растворяющееся вещество помещают на дне цилиндрического автоклава. Над ним установлен перфорированный металлический диск или экран, который отделяет зону растворения от зоны роста кристалла, а в верхней части автоклава подвешивают соответствующим образом ориентированные заправочные монокристаллы. В автоклав заливают до желаемой степени заполнения подходящий растворитель и затем помещают в печь, в которой зона растворения нагревается до более высокой темпера - Рис 13 туры, чем зона роста. [16]
 |
Схема ориентации молекул нитробензола на поверхности воды. [17] |
Полярные молекулы растворяющегося вещества ориентируются в мономолекулярной пленке таким образом, что полярные концы молекул направлены внутрь, а углеводородные хвосты - в воздух. На рис. 4.4 в качестве примера показана ориентация молекул нитробензола на поверхности воды. Небольшие по размеру нейтральные молекулы стремятся расположиться в плоскости поверхности. [18]
 |
Кристаллизатор для выращивания кристаллов по хими ческой реакции в условиях встречной диффузии типа стакан в стакане. [19] |
Первые изменения вне растворяющихся веществ заметны только через несколько часов или дней в зависимости от растворимости веществ и высоты внутреннего стакана над уровнем веществ. [20]
 |
К., определению концентрации насыщения. [21] |
Химический потенциал твердого растворяющегося вещества у, А зависит от температуры и не зависит от концентрации вещества в растворе. На рис. 1.2 представлено графическое определение концентрации насыщения ( XA) S, которая соответствует точке пересечения прямых [ l A f ( 1П ХА) и Н - д - ЦА const. [22]
В противном случае растворяющееся вещество быстро окружается тонной пленкой насыщенного раствора, и растворение прекращается. [23]
Если вся молекула растворяющегося вещества будет покрыта молекулами растворителя, то k будет очень мало, что будет обозначать отсутствие в системе процесса образования агрегатов. [24]
Со - концентрация растворяющегося вещества в глубине жидкости; Сн - концентрация насыщенного раствора; k - постоянная для данных условий величина. [25]
Со - концентрация растворяющегося вещества в глубине жидкости; CH - концентрация насыщенного раствора; k - постоянная для данных условий величина. [26]
Из-за медленности диффузии растворяющегося вещества жидкость в камере подпитки над веществом представляет собой почти чистый растворитель, плотность которого всегда ниже, чем у раствора. Поэтому уровень раствора в камере подпитки располагается несколько выше, чем в камере роста. [27]
Если вся молекула растворяющегося вещества будет покрыта молекулами растворителя, то k будет очень мало, что будет обозначать отсутствие в системе процесса образования агрегатов. [28]
По мере повышения концентрации растворяющегося вещества в жидкой фазе скорость растворения уменьшается по логарифмическому закону. С наибольшей скоростью процесс идет в чистом растворителе при получении слабых растворов. [29]
По мере повышения концентрации растворяющегося вещества в жидкой фазе скорость растворения уменьшается по логарифмическому закону. [30]
Страницы: 1 2 3 4