Полувыбранный сердечник

Cтраница 3

При сопоставлении схем 3D / 3W, 3D / 4W, а также 3D / 5W, которая будет рассмотрена ниже, становится очевидным, что вопросы, связанные с компенсацией помех от полувыбранных сердечников и компенсацией разрядным током одного из полутоков, имеют много общего. Для всех систем необходимо, чтобы отдельные участки РСЛ проходили в противоположных направлениях через равное число полувыбранных сердечников и чтобы разрядный ток на всех участках действовал в направлении, противоположном одному из полутоков. Поэтому конфигурация РСЛ и взаимное расположение сердечников в трехпроводной матрице должны быть такими, чтобы удовлетворялись эти требования. [31]

В зависимости от режима работы выборка сердечников при записи в двумерном накопителе может производиться с коэффициентом селекции два или три. Естественно, что при считывании в системе 2Д понятие коэффициента селекции не имеет смысла, так как здесь не происходит совпадения токов и нет полувыбранных сердечников. [32]

Теперь - на п или п / А выбранных сердечников действует ток, величина которого достаточна для их полного переключения, так как он суммируется с током, протекающим по групповой шине. Поскольку шина У - проходит перпендикулярно РСЛ, то конструктивная помеха от нее невелика. Полувыбранные сердечники, число которых равно q - 1, возбужденные полутоком, распространяющимся по координате Уг -, не создают существенной помехи для считываемого сигнала. [33]

В каждой разрядной плате, наряду с так называемым выбранным сердечником, принадлежащим ячейке, в которую производится обращение, и находящимся под действием полного тока ix iy, имеется большое число полувыбранных сердечников. Они не переключаются, однако из-за непрямо-угольности петли гистерезиса ( в пологой ее части) под действием полутока происходит небольшое изменение индукции ( Afit или Д52 на рис. 3.926), из-за которого в обмотке считывания наводится ЭДС помехи. Эти ЭДС большого числа полувыбранных сердечников, суммируясь, могут создать помеху, соизмеримую с амплитудой полезного сигнала при считывании 1 из выбранного сердечника, что может затруднить определение считанной цифры в ЗУ большой емкости. Применяются следующие методы борьбы с этими помехами. [34]

На рис. 3.91 а показан простой способ диагональной прошивки. При такой прошивке ЭДС помех от соседних полувыбранных сердечников при последовательном обходе обмотки считывания оказываются направленными встречно и в значительной степени компенсируются. [35]

Матрица запоминающего устройства, выполненного по схеме 2D. [36]

При этом пере-магничиваются только сердечники, находящиеся на этой словарной шине, и не возбуждаются сердечники на других словарных шинах. В каждой разрядной обмотке считывания возникает сигнал только от одного сердечника. Таким образом, в схеме 2D не существует полувыбранных сердечников. После считывания информации из сердечника производится ее восстановление. Для этого по выбранной словарной шине и тем разрядным шинам, в которых был записан сигнал 1, одновременно подаются импульсы записи. При этом импульсы записи имеют амплитуду вдвое меньшую, чем импульсы считывания. Поэтому сигнал 1 будет записан только в те сердечники, где импульсы по словарной и разрядной шинам совпадают. Остальные разрядные сердечники окажутся при восстановлении считанной информации полувыбранными. Запись новой информации в схеме выполняется в два этапа. На 1 - м - производится стирание старой информации. На 2 - м этапе в эту же шину слова подается импульс записи. Основным недостатком запоминающих устройств типа 2D является их неэкономичность. А это при большой емкости ЗУ становится экономически невыгодно. Поэтому ЗУ со схемой 2D применяются там, где можно обойтись не очень большой емкостью, но требуется высокое быстродействие. [37]

При считывании с магнитного сердечника выходной сигнал 1 индуцируется вследствие переключения магнитного потока в сердечнике. Процесс переключения магнитного потока в сердечнике вызывается последовательным движением стенок доменов и происходит с конечной скоростью. Выходной сигнал помехи при считывании О и сигналы помехи с полувыбранных сердечников образуются из-за изменения магнитного потока в сердечниках при повороте векторов намагниченности. Поскольку процессы параллельного поворота векторов намагниченности протекают значительно быстрее, чем процесс переключения магнитного потока в сердечнике при последовательном смещении стенок доменов, то длительность выходных сигналов 1 и сигналов помех существенно различна. В этом случае метод временного стробирования выходного сигнала позволяет получить значительно лучшее отношение сигнал-помеха, чем использования амплитудного различия для выделения сигнала. Но при увеличении скорости работы ЗУ, когда наряду с уменьшением времени переключения сердечников используют токи выборки с крутыми фронтами, аппаратурная реализация метода стробирования значительно усложняется. [38]

Выходные сигналы с элемента магнитного устройства изменяются примерно от 2 мв для топких пленок до 100мв для ферри-товых сердечников. Эти выходные сигналы низкого уровня должны быть выделены и усилены при наличии помех от нолувыбрашшх сердечников в устройствах, действующих по принципу совпадения токов, и при общих помехах от системы в целом для всех типов устройств. Помехи от сердечника, свойственные запоминающим устройствам, работающим по принципу совпадения токов, являются следствием реверсивного выхода его напряжения от полувыбранных сердечников. [39]

Два его входа присоединяются к двум концам обмотки считывания. На усилитель при этом воздействуют два вида помех: синфазные и дифференциальные. Дифференциальную помеху, имеющую на разных входах одинаковую величину, но противоположную полярность, создапт полностью выбранные сердечники, которые не переключаются, так как уже находятся в состоянии 0, а также полувыбранные сердечники. При расщеплении обмотки считывания на секции и прокладке ее таким образом, 1: то половину сердечников она пронизывает в одном направлении, а другую половину - в противоположном, дифференциальные помехи частично компенсируются. Тем не менее обычно отношение сигнал / помеха в обмотке считывания невелико. [40]

Два его входг присоединяются к двум концам обмотки считывания. На усилитель при этом воздействуют два вида помех: синфазные и дифференциальные. Дифференциальную помеху, имеющую на разных входах одинаковую величину, но противоположную полярность, создают полностью выбранные сердечники, которые не переключаются, так как уже находятся в состоянии 0, а также полувыбранные сердечники. При расщеплении обмотки считывания на секции и прокладке ее таким образом, что половину сердечников она пронизывает в одном направлении, а другую половину - в противоположном, дифференциальные помехи частично компенсируются. Тем не менее обычно отношение сигнал / помеха в обмотке считывания невелико. [41]

Запись новой информации производится в два этапа. На втором этапе во все разряды выбранного слова по горизонтальным и вертикальным шинам подаются импульсы записи. Таким образом, сигнал 1 будет записан только в те разрядные сердечники выбранного слова, куда не подавался импульс запрета. Основным недостатком схемы 3D является возникновение полувозбужденных сердечников как при записи информации, так и при чтении ее. Для борьбы с этим используют отбор сердечников, специальную прошивку матрицы обмоткой считывания таким образом, чтобы помехи от полувыбранных сердечников попарно компенсировались, и некоторые другие меры. Преимуществом схемы 3D по сравнению со схемой 2D является резкое уменьшение числа ключей на координатных шинах. Если в схеме 2D количество слов в запоминающем устройстве ff, то в схеме 3D оно определяется как 2 V-N -, т.е. экономически применение схемы 3D тем выгоднее, чем большая емкость запоминающего устройства. [42]

Петля гистерезиса феррита.| Схема ячейки ЗУ па.| Схема ЗУ с непосредственным выбором числа емкостью в N m - разрядпых двоичных чисел. [43]

В результате может перемагнититься ( оказывается выбранным) только один сердечник. Сигнал считывания воспринимается обмоткой считывания, проходящей через все сердечники. На рисунке 5 изображена Рис-схема двухкоординатиой матрицы ЗУ емкостью в 3x3 9 двоичных знаков, работающего по принципу совпадения токов. Таким образом, пе-рсмагнититься может только выбранный сердечник; состояние полувыбранных сердечников практически не изменится. При записи О и при считывании но шинам Х и Га подаются токи - I, переводящие сердечник в состояние О При этом в обмотке считывания возникает сигнал считывания на фоне импульсов помех от полувыбранных сердечников. Для уменьшения уровня помех обмотка считывания прокладывается зигзагообразно, однако полностью компенсировать помеху не удается и зто ограничивает емкость ЗУ по схеме совпадения токов. Емкость такого ЗУ равна количеству ячеек в отдельной матрице. Каждая матрица служит для хранения к. [44]

Если в процессе записи необходимо записать О, то следовало бы приложить ток запрета одновременно с двумя полутоками записи. Ток запрета равен половине полного значения тока и протекает в направлении, противоположном токам записи. Тогда полный ток, воздействующий на магнитный элемент, составляет лишь половинную величину и переключение не происходит. Элемент остается в состоянии О, и приложение токов считывания глубже намагничивает элемент в область насыщения. Схемы токовой селекции или выбора как в моменты считывания так и записи составлены таким образом, что только выбранный элемент может оказаться под действием полного тока, а все другие элементы платы - под действием полутока. Эти полувыбранные сердечники ( с полутоками) подвергаются небольшому размагничению, и с них наводится помеха в обмотке считывания. Время считывания является, безусловно, критичным, и состояние намагничивания сердечника должно Гнить обнаружено в течение этого интервала. [45]

Страницы: 1 2 3 4