Cтраница 2
Минимальный ток стабилизации / ст. мян стабилитрона - наименьшее значение тока стабилизации, при котором режим пробоя устойчив. Для стабистора ст. мйи представляет собой значение прямого тока, ниже которого крутизна вольт-амперной характеристики резко уменьшается й соответственно дифференциальное сопротивл 1ие существенно увеличивается по сравнению с его значением на рабочем участке. [16]
![]() |
Разброс характеристик вентилей при изготовлении. [17] |
Путем ограничения частичных областей - в рассматриваемом случае по наименьшему значению тока - можно получить сужение разбросов, например, тем, что все образцы, характеристики которых лежат ниже границы, исключаются как не удовлетворяющие требованиям. Путем отбора можно такую область разброса разбить на несколько частных областей, так что каждая частная область дает свой отдельный тип с собственными характеристиками. В конечном итоге это сводится к проблемам стоимости и сбыта. [18]
![]() |
Кремниевые стабилитроны средней и большой мощности ( 10 - 14. [19] |
Минимальный ток стабилизации / ст. мин для кремниевого стабилитрона - наименьшее значение тока стабилизации, при котором режим пробоя устойчив. [20]
Из сказанного вытекает, что углу сдвига фаз 090 соответствует наименьшее значение тока конденсаторной фазы. [21]
Ниже будет показано, что колебания основного вида возникают также и при наименьшем значении тока в лампе, а при переходе от одного вида колебаний к другому изменяется длина волны. [22]
Количественная оценка чувствительности защиты производится с помощью коэффициента чувствительности /, который является отношением наименьшего значения тока короткого замыкания или перегрузки, возникающего в защищаемой установке ( /, , ), к току срабатывания / срз при котором заканчивается процесс срабатывания защиты. [23]
![]() |
Значения напряжения короткого замыкания силовых двухобмоточных трансформаторов для различных ответвлений регулируемой обмотки. [24] |
КЗ в начале смежного с защищаемым элемента сети, а для проверки чувствительности зашит требуется рассчитать наименьшее значение тока в реле защиты при КЗ в конце ее основной зоны действия и в зоне резервирования. В практических расчетах обычно удобнее представлять элементы схемы замещения в именованных единицах ( Ом), приведенных к одной ступени напряжения, выбранной за основную, той, где установлены устройства релейной защиты, для которых выполняются расчеты. На расчетной схеме и схеме замещения целесообразно обозначать места установки релейной защиты. [25]
![]() |
Схема включения магнитного усилителя. [26] |
При токе в обмотке управления / у 0 имеет место режим холостого хода усилителя, характеризующийся наименьшим значением тока в рабочей цепи ( / х) и максимальным падением напряжения в рабочей обмотке магнитного усилителя. [27]
Условие насыщения одного из транзисторов ( когда другой закрыт) также можно записать в виде равенства, если определить наименьшее значение тока базы / e H навм. [28]
![]() |
Анодные характеристики. [29] |
Конструкция экранирующей и защитной сеток и их расположение в лампе выбираются с таким расчетом, чтобы получить по возможности наименьшее значение тока экранирующей сетки в режиме прямого перехвата и, кроме того, при переходе от режима возврата к режиму перехвата добиться наиболее резкого излома характеристики при минимальном анодном напряжении. [30]