Номинальное значение - емкость
Cтраница 1
Номинальные значения емкостей не обязательно должны быть стандартными. [1]
Номинальные значения емкости при напряжении 175 в составляют: 5, 10, 15, 20, 30, 50, 70 и 100 мкф, а при напряжении 300 в: 1 5; 3; 5; 8; 10; 15; 20 и 30 мкф. [2]
Номинальные значения емкости отдельных керамических конденсаторов могут быть получены от 1 до 1000 пф. [3]
Номинальное значение емкости образцового воздушного конденсатора типа Р5023 составляет 50 пф. [4]
 |
Фильтрующее действие конденсаторов емкостью 0 05 мкФ. [5] |
С номинальное значение емкости обеспечивается лишь для интервала 20 1 С. То же можно сказать и о диапазоне рабочих напряжений: при гарантированном рабочем напряжении 500 В номинальное значение емкости сохраняется только при напряжении 0 5 - 5 В постоянного тока. [6]
 |
Конденсаторы переменной емкости. а - одинарный, б - спаренный. [7] |
Изменение номинального значения емкости может произойти в результате длительной работы конденсатора и пребывания его в различных температурных условиях. [8]
Шкала номинальных значений емкостей, приведенная в табл. 4, установлена государственным стандартом и охватывает емкости от 1 пф до 2000 мкф, причем производство конденсаторов, меньших и больших этого предела не стандартизировано. [9]
 |
Возможная конфигурация пленочного резистора. [10] |
Диапазон номинальных значений емкости диффузионных конденсаторов, которые могут быть сформированы на отведенных для них площадях монокристалла полупроводника, определяется концентрацией примесей в прилегающих к переходу областях. Диффузионные конденсаторы, использующие эмиттерную емкость транзисторной структуры, имеют большую удельную емкость по сравнению с конденсаторами на коллекторном переходе. [11]
 |
Структура диффузионного конденсатора с использованием барьерной емкости коллекторного перехода транзисторной структуры ( диффузия доноров для формирования эмит-терной области не проводилась. [12] |
Диапазон номинальных значений емкости диффузионных конденсаторов, которые могут быть сформированы на отведенных для1 них площадях монокристалла полупроводника, определяется концентрацией примесей в прилегающих к переходу областях. Диффузионные конденсаторы, использующие эмиттерную емкость транзисторной структуры, имеют большую удельную емкость по сравнению с конденсаторами на коллекторном переходе. [13]
 |
Конструкция конденсаторов КДК. [14] |
Стандартная шкала номинальных значений емкостей приведена в табл. 1.5. Значение емкости на конденсаторах указывают с допусками 2; 5; 10 и 20 %, которые соответствуют 0; 1-му; 2-му и 3-му классам точности. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5