Cтраница 1
Резистор УЛМ. [1] |
Номинальные значения сопротивлений резисторов УНУ не превышают 100 ом. [2]
Кодированная маркировка номинальных значений сопротивлений резисторов и допустимых отклонений значений сопротивления от номинальных состоит из двузначного числа, указывающего номинальное значение сопротивления, и двух букв. Одна буква обозначает единицу измерения сопротивления, другая - допустимое отклонение его значения от номинального. [3]
Но если шкала номинальных значений сопротивлений резисторов дискретна, то число пар значений Rlt R2 конечно. [4]
Достижимые пределы допусков на номинальные значения сопротивлений резисторов необходимо учитывать при проектировании полупроводниковых ИМС. [5]
При изготовлении резисторов в зависимости от номинального значения сопротивления резисторов применяют различные способы намотки. [6]
Структура диффузионного резистора, применяемая для увеличения номинального значения сопротивления резистора, отнесенного к единице длины ( пинч-ре-зистор. [7] |
Таким образом, можно заключить, что максимальное номинальное значение сопротивления резистора зависит от отношения длины к ширине резистивной полоски, которое в свою очередь зависит от наличия свободной площади на исходной подложке. Способ увеличения номинального значения сопротивления резистора, занимающего определенную площадь на подложке, иллюстрируется рис. 2.31. В резистивную полоску р-типа проводят диффузию примеси и-типа. Резистивная область оказывается ограниченной двумя p - n - переходами, каждый из которых должен быть смещен в обратном направлении. Следовательно, сечение проводящего слоя резистора при этом уменьшается. Диффузию примесных атомов, формирующих n - слой, удобно совмещать с диффузией, в процессе которой изготовляется эмиттерная область транзистора. Такой резистивный элемент называют пинч-резистором. Поэтому такие конфигурации резисторов могут применяться только в случаях, если допустимые отклонения от их номиналов не оказывают отрицательного влияния на работу схемы в целом. [8]
Конфигурации диффузионных резисторов.| Структура диффузионного резистора, применяемая для увеличения номинального значения сопротивления резистора, отнесенного к единице длины ( пинч-резистор. [9] |
Таким образом, можно заключить, что максимальное номинальное значение сопротивления резистора зависит от отношения длины к ширине резистивной полоски, которое в свою очередь зависит от наличия свободной площади на исходной подложке. Способ увеличения номинального значения сопротивления резистора, занимающего определенную площадь на подложке, иллюстрируется рис. 2.32. В резистивную полоску р-типа проводят диффузию примеси n - типа. [10]
Ряды предпочтительных чисел. [11] |
Примером применения рядов Е могут служить ряды номинальных значений сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов. [12]
На каждом из каскадов устанавливались полученные путем расчета номинальные значения сопротивлений резисторов, а затем производилась смена транзисторов. Для сравнения были выполнены расчеты параметров усилителей, подвергавшихся экспериментальным исследованиям, которые приводятся далее. [13]
Зависимость допустимой электрической нагрузки резисторов МЛТ, ОМЛТ, МТ от атмосферного давления.| Конструкции металлоокисиых резисторов. [14] |
Резисторы МОН ( металлоокисные, низ-коомные) дополняют шкалу номинальных значений сопротивлений резисторов МЛТ. [15]