Cтраница 5
Метод электрического моделирования задач нестационарной теплопроводности с помощью сеток омических сопротивлений ( - сеток), предложенный в работах [1, 2], в отличие от метода моделирования на сетках сопротивлений и емкостей ( - С-сетки) позволяет прерывать процесс решения, изменять временной и пространственный интервалы во время решения, определять температурные поля с учетом изменения тешюфизических констант материала в зависимости от температуры. [61]
Расчет поля при помощи сеток сопротивлений состоит из следующих этапов: 1) соединяя между собой большое число дискретных сопротивлений, составляют электрический эквивалент поля; 2) к узловым или внешним точкам сетки сопротивлений присоединяют источники напряжения и тока, моделирующие источники прототипа; 3) измеряют и записывают напряжения каждого узла сетки сопротивлений, соответствующие потенциалам идентичных узлов моделируемого поля; 4) эквипотенциальные поверхности строят методом интерполяции. При построении сетки сопротивлений поле делят на большое число параллелограммов и каждый из них заменяют сопротивлением соответствующей величины. Рассмотрим один из элементарных параллелограммов вблизи точки О ( х, у, г) с объемом 2Ал: X 2Аг / X X 2Аг ( рис. 30.5) внутри однородной проводящей среды. [62]