Cтраница 3
При решении последнего из перечисленных вопросов потребуется проведение оптимизации толщины базового и верхнего слоев, структуры контактной сетки, параметров просветляющего покрытия и отражающего тыльного контакта, а также профиля распределения примеси в поверхностном слое. Кроме того, необходимо исследовать возможность повышения эффективности собирания носителей заряда за счет уменьшения толщины фотоактивного слоя и создания высокоотражающего тыльного контакта. В элементе такой конструкции, предложенной Ред-филдом [39], двукратное прохождение света через слой кремния обеспечит достаточно полное его поглощение. [31]
В большинстве случаев солнечные элементы имеют тонкий фронтальный слой, вдоль которого протекает ток, собираемый контактной сеткой. Поскольку потери мощности на сопротивлении рассредоточены по всему объему этого слоя, требуется рассмотрение более точных моделей. [32]
Причинами оптических потерь в солнечных элементах являются отражение части солнечного излучения от поверхности СЭ и затенение контактной сеткой. Снижение коэффициента отражения R достигается нанесением на поверхность СЭ просветляющих покрытий в виде тонких пленок, обеспечивающих интерференцию и взаимное гашение световых волн, отраженных от поверхности пленки и от границы пленка-полупроводник. Создание текстурированной фронтальной поверхности, образованной, например, регулярно расположенными пирамидами, обеспечивает снижение коэффициента отражения до - 20 % для непросветленной поверхности и до нескольких процентов при использовании однослойных покрытий. [33]
Седон и др. [13] использовали по существу аналогичный способ изготовления элементов с тем лишь отличием, что медная контактная сетка с электролитически осажденным слоем золота соединялась с поверхностью слоя Cu2S посредством механической прокатки и небольшого вдавливания, а термообработка представляла собой двухминутный прогрев образца в сушильной печи при температуре 250 С в циркулирующем потоке воздуха. Контактная сетка создавалась непосредственно на стеклянной пластине, которая на заключительном этапе изготовления элемента крепилась методом прокатки к слою Cu2S и служила герметизирующим покрытием. [34]
![]() |
Контактный аппарат, работающий под давлением 5 - 8 атм. [35] |
Общая высота аппарата достигает 3350 мм, внутренний диаметр цилиндрической части - 1230 мм, рабочий диаметр контактных сеток - 1030 мм, высота конусов - 1365 мм. Соединение верхнего и нижнего конусов с цилиндрической частью аппарата осуществляется с помощью фланцев болтовым соединением. Нижние фланцы верхнего конуса и цилиндра - свободно вращающиеся, верхние фланцы нижнего конуса и цилиндра посажены на резьбе. [36]
![]() |
Схема контактного узла. [37] |
Неравномерный нагрев сеток ( в центре и по краям) уменьшает выход окиси азота на некоторых участках контактных сеток. К этому же ведет и неравномерность газового потока по сечению сеток. [38]
Такой угол газоподводящей части аппарата обеспечивает равномерное распределение факела газа по сечению аппарата и его равномерное поступление на контактные сетки. Га-зоотводящая конусообразная часть аппарата отражает своей поверхностью значительное количество тепла на горизонтально расположенные катали-заторные сетки, обеспечивая тем самым их равномерный нагрев и достаточно высокую температуру в зоне катализа. [39]
Процент контактирования определяют из отношения содержания окислов азота, в пересчете на аммиак, в нитрозных газах после контактных сеток к содержанию аммиака в аммиачно-воздушной смеси перед контактными сетками. [40]
Основными требованиями, предъявляемыми к конструкции контактных аппаратов, являются создание равномерного потока аммиачно-воздушной смеси по всему сечению контактных сеток и достижение требуемой температуры в зоне катализатора. [41]
Основным требованием, предъявляемым к конструкции контактных аппаратов, являются создание равномерного потока аммиачно-воздушной смеси по всему сечению контактных сеток и обеспечение требуемой температуры в зоне расположения катализатора. [42]
![]() |
СФЭУ с линзами Френеля. [43] |
В качестве фотопреобразователей использованы ГСЭ со структурой GaAs - jsGaAs - jsAlGaAs, диаметром 17 мм, с радиально-кольцевой контактной сеткой ( см. рис. 2.14), напаянные на медные держатели и защищенные от атмосферных воздействий кварцевым стеклом. [44]
Холл ( 81 ] отмечает, что наиболее важным следствием термообработки элементов под давлением, осуществляемой в процессе крепления контактной сетки и при последующих технологических операциях, является повышение степени ориентации оси с зерен пленки CdS относительно нормали к поверхности подложки и уменьшение ширины области, ограничиваемой кривой распределения угла отклонения этой оси от нормали. После термообработки под давлением при создании контактов направление преимущественной ориентации оси с совпадает с нормалью к поверхности подложки. [45]