Cтраница 1
![]() |
Примеры генерирования дислокаций поверхностными гетерогенными источниками, которые возникли от микрогеометрии плоского торца цилиндрического пуансона при контактном нагружении поверхности Si. [1] |
Дислокационная сетка, образовавшаяся при работе нескольких источников такого типа при Т 600 С, пл. [2]
Довольно часто наблюдаются крупные дислокационные сетки с растянутыми и сжатыми узлами ( фиг. [3]
Подробно также исследована стабильная плоская бесконечная дислокационная сетка. [4]
Границы последних образованы дислокационными сетками. [5]
Механизм, контролирующий образование дислокационной сетки в а-уране при нейтронном облучении, неясен. Хотя упругое взаимодействие петель должно способствовать размещению петель одинаковой природы рядом [34], сливаться, по мнению Бакли, могут только разноименные петли, если температура облучения такова, что консервативное переползание петель невозможно. [7]
Различные стадии процесса образования дислокационной сетки представлены на фиг. На стадии а полоски Ва оА и Со оА сближаются под действием приложенного напряжения сдвига. На стадии б дислокация оА объединяется с дислокацией Со, образуя полную дислокацию С А, вектор Бюргерса которой перпендикулярен частичной дислокации Ва, так что она слабо взаимодействует с Во. Обе дислокации пересекаются под действием приложенного напряжения сдвига. В результате образуется еще одна пара узлов. Очевидно, что такой процесс может повторяться до тех пор, пока не будут пересечены все дислокации параллельной системы. Различные стадии его, показанные на фиг. [8]
Отожженные ГЦК кристаллы часто содержат дислокационные сетки, в которых прямолинейные дислокации встречаются друг с другом только по тройным узлам. [9]
![]() |
Температурные зависимости критического скалывающего напряжения в чистых ( / и легированных бором ( 2 ( несколько десятых процента монокристаллах TiC. [10] |
Поскольку бориды выделяются в узлах дислокационной сетки, высокотемпературные механические свойства зависят от первоначального расположения узлов. [11]
![]() |
Полигонизованная структура в технически чистом титане. а - микрофотография, Х450. б - электронномикроскопический снимок, реплики, хЗООО. в - фольги, ХЗООО. [12] |
На рис. 76 и 77 показаны трехмерные дислокационные сетки - субграницы железа после охлаждения из у-об-ласти [154], сетка более мелкая после нормализации и более крупная после медленного охлаждения. [13]
Для определения частоты переползаний Г необходимо рассмотреть дислокационную сетку, узлы которой под действием приложенного напряжения и линейного натяжения взаимосвязанных дислокационных сегментов находятся в равновесии. Каждый дислокационный сегмент закреплен двумя узлами. [14]
Прямые доказательства взаимодействия между скользящей дислокацией и дислокационной сеткой на поверхности раздела получить трудно. Однако представляются убедительными последние данные Паттнайка и Лоули [62] для композита Al - CuAl2 с малым ( менее 2 мкм) расстоянием между пластинами. В таких пластинчатых структурах предел текучести обогащенной алюминием фазы примерно втрое выше, чем в нестесненных условиях. [15]