Сечение - диаграмма
Cтраница 2
На рис. 165 приведены горизонтальные ( изотермические) сечения диаграммы Си-Sn - Zn при 800, 600 и 400 С. [16]
 |
Проекции поверхностей ликви.| Определение кривизны поверхности по горизонталям ( изотермам.| Изотермическое сечение диаграммы состояния при температуре 1г. [17] |
Вычертим на отдельном рисунке ( рис. 54) сечение диаграммы состояния, отвечающее температуре t1 ( рис. 51), лежащей между точками А и В плавления компонентов А и В. Слева от изотермы ликвидуса / 2 на этом рисунке все сплавы представляют однородную жидкость. Справа от изотермы солидуса sis2Ece сплавы представляют однородный твердыii раствор. Между обеими изотермами все сплавы двухфазны. [18]
 |
Изотермические сечения части ( мея ныя угол диаграммы тройной системы Си-Zn - А1.| Вертикальные разрезы диаграммы тройной системы Си-Zn - A1. [19] |
На рис. 176 приведены горизонтальные ( изотермические) сечения диаграммы тройной системы Си - Sn - Zn при 800, 600 и 400 С. [20]
 |
Сечения пятиком-понентной системы.| Сечения шестикомпонентной систе-мы. [21] |
Состав, выраженный любой точкой, находящейся в сечениях диаграммы пятикомпонентной системы, устанавливают следующим образом. [22]
Авторами в общей сложности изучено 15 частных двойных разрезов - сечений диаграммы. [23]
 |
Изотермические разрезы диаграммы фазового равновесия тройной системы, не образующей твердых растворов. [24] |
Для анализа фазовых превращений используют также изотермические разрезы, получаемые путем сечения диаграммы плоскостями, параллельными ее основанию. [25]
 |
Горизонтальная ( цен. [26] |
Для определения положения фигуративных точек системы и графических построений применяют в общем случае способ сечения диаграммы вертикальной плоскостью. [27]
Графические расчеты процессов испарения и кристаллизации для диаграмм без инконгруэнтных точек производят по способу сечения диаграммы плоскостями, проведенными через точку состава исходного раствора, луча испарения и координатные оси. Методы расчетов в этом случае аналогичны указанным расчетам для изотерм простых четверных систем ( см. гл. [28]
 |
Дисперсия показателя преломления в твердых растворах Ga Ini xP Asi /, изопериодических InP 1 - уО. 2 - 0 2. 3 - 0 4. 4 - 0 6. 5 - 0 8. 6 - 1 0. [29] |
На рис. 20.44 показано изменение ширины запрещенной зоны твердых растворов GajIni - jPyAsi j, вдоль изопериодических сечений диаграммы составов. Для твердых растворов, изопериодических с GaAs, диапазон изменения ширины запрещенной зоны полностью перекрывается диапазоном изменения ДН7 в тройной системе AUGai As. [30]
Страницы: 1 2 3 4