Cтраница 2
На рис. 212 представлено сечение параллелепипеда плоскостью, проведенной через точку М ребра ССг параллельно плоскости грани ABCD. Построение сечения основано на таких же рассуждениях, что и в предыдущем случае. [16]
Нарисуйте различные но форме сечения параллелепипеда. [17]
Через большие стороны оснований проведено сечение параллелепипеда. [18]
Через большие стороны верхнего и нижнего оснований проведено сечение параллелепипеда; образующее с плоскостью основания угол а. Зная, что периметр этого сечения равен Р, найти объем параллелепипеда. [19]
На ребрах AD и CCt взяты соответственно точки Я и Q - середины этих ребер. Построить сечение параллелепипеда плоскостью, проходящей через вершину At, параллельно прямым PQ и В С. [20]
К ч L - середины этих ребер. Построить сечения параллелепипеда плоскостями, проходящими через точку Р, параллельно прямой DDt и следующим прямым: а) В А, б) В К; в) B L. Найти отношение площадей поверхностей многогранников, на которые рассекается параллелепипед, в каждом из этих случаев. [21]
На ребрах ЛЛХ и ССг параллелепипеда ( рис. 226, а) расположены соответственно точки М и N так, что j AM: Л A. Построить сечение параллелепипеда плоскостью, проходящей через точки М и N параллельно диагонали BD Основания. Определить, в каком отношении эта плоскость делит ребро ВВХ. [22]
Обычно закон наименьшего сопротивления иллюстрируют схемой, изображенной на фиг. Прямоугольник, представляющий собою сечение параллелепипеда, перпендикулярное к направлению сжимающей силы, делят на четыре части, для чего проводят биссектрисы прямых углов АЕ, BE, CF и DF и их пересечения в точках Е и F соединяют прямой. [23]
Пусть на одной из граней полупроводника искусственно создана область Р с большей скоростью рекомбинации. Под действием силы Лоренца F происходит перераспределение концентрации носителей тока по сечению параллелепипеда в направлении действия силы Лоренца. На грани с большей скоростью рекомбинации концентрация носителей тока практически не изменяется, в то время как в области, противоположной грани, в зависимости от направления силы Лоренца концентрация носителей увеличивается или уменьшается. При этом происходит общее увеличение или уменьшение концентрации носителей по сравнению с равновесной, что вызывает соответственно уменьшение или увеличение электрического сопротивления полупроводникового образца. [24]
Представьте себе, что имеется перегородка, которая в этом докладе будет называться поршнем. Она расположена перпендикулярно одной из осей, и ее площадь равна площади сечения параллелепипеда S. Эта перегородка представляет собой адиабатический поршень в том смысле, который я сейчас объясню. [25]
В табл. 5 представлены рассчитанные по формулам ( 230) - ( 232) числовые значения коэффициентов Рц при мощности 1-го нагревателя, названные нами числами влияния. При пользовании табл. 5 необходимо иметь в виду, что вывод ( 230) - ( 232) был сделан в предположении отсутствия теплового потока вдоль оси Z. Это означает, что потери тепла через свободную поверхность прессующей плиты, расположенную параллельно рабочей поверхности, не учитывались при выводе расчетных формул. Формальное использование ( 230) - ( 232), а равно чисел влияния табл. 4, дает температурное поле бесконечной прямоугольной призмы с размерами сечения 26 X а и соответствующим распределением источников тепла. Любая точка сечения такой призмы, естественно, имеет температуру несколько большую, чем соответствующая точка сечения параллелепипеда, отдающего тепло также и в направлении оси Z. [26]