Сечение - пленка
Cтраница 2
 |
Поверхностное давление нерастворимой пленки. э. [16] |
Отнесенная, как и Wc к единице сечения пленки. [17]
Отнесенная, как и Wc, к единице сечения пленки. [18]
Кепл относится к нижнему по ходу движения конденсата сечению пленки. [19]
 |
Измерительная ячейка ( а и криостат ( б для исследования температурных зависимостей кинетических эффектов в полупроводниковых пленках. [20] |
Искажение вызвано тем, что поперечное сечение термопар и измерительных зондов превышает сечение пленки. [21]
 |
Схема отрыва упругой пленки. [22] |
В - величина, равная В yrFp / 4Ey; M - изгибающий момент сечения пленки на расстоянии х, х - расстояние вдоль пленки от точки отрыва; у - прогиб пленки. [23]
Выберем систему координат так, как это показано на рис. 89 Очевидно, что изменение средней по сечению пленки температуры в рассматриваемом случае будет обусловлено, во-первых, наличием химической реакции на поверхности пленки жидкости и, во-вторых, процессом поглощения газа жидкостью. Определим сначала величину изменения TS-T ( Т - средняя по сечению жидкой пленки температура, TS - значение температуры на границе раздела жидкость-газ), обусловленного наличием химической реакции первого порядка. [24]
Использование пленок, конденсированных в вакууме, ограничено чистыми металлами и однофазными сплавами; в последнем случае для обеспечения химической однородности по сечению пленок необходим длительный гомогенизирующий отжиг полученных пленок. [26]
Из выражения ( 17) вытекают также следующие выводы: интенсивность распада пленки определяется в основном количеством удельной энергии турбулентных пульсаций; в силу того, что полное изменение турбулентных напряжений по сечению пленки должно быть равно нулю, pv xv r на свободной поверхности пленки может быть компенсировано лишь силами поверхностного натяжения. [27]
Дг области, по которой производится осреднение ( в качестве таковой может быть использовано кольцевое сечение г г г Дг или соответствующий кольцевой цилиндр), много больше размера капель, но много меньше диаметра канала и толщины пленки; vt - определенная по сечению газожидкостного ядра потока Si S2 Sc скорость газа; v2 - ос-редненная по сечению ядра потока Sc скорость капель; УЗ У / - осредненная по сечению пленки з S / скорость жидкости в пристенной пленке. Значения Vi ( i 1, 2, 3) указаны толстыми штриховыми линиями. [28]
Дг области, по которой производится осреднение ( в качестве таковой может быть использовано кольцевое сечение г г г Дг или соответствующий кольцевой цилиндр), много больше размера капель, но много меньше диаметра канала и толщины пленкп; v - определенная по сечению газожидкостного ядра потока S, 2 Sc скорость газа; v2 - ос-редненная по сечению ядра потока с скорость капель; РЗ V1 - осредненная по сечению пленки 5з Sf скорость жидкости в пристенной пленке. Значения Vi ( i 1, 2, 3) указаны толстыми штриховыми линиями. [29]
 |
Вид интерференционных полос ( а в клинообразной пленке с сечением, показанным на б. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5