Остаточный сигнал

Cтраница 1

Остаточный сигнал определяется как разница между показаниями прибора при открытом дросселе в одном положении исполнительного механизма и открытом на 1 / 3 дросселе в другом положении исполнительного механизма. Перевод исполнительного механизма из первого положения во второе осуществляется при закрытом дросселе, предварительно зафиксировав показание прибора. Открыв на х / з дроссель в другом крайнем положении через 2 ч фиксируется показание прибора, разность двух показаний не должна превышать 5 мв. [1]

Остаточные сигналы растворителя не создают проблем при наблюдении гетероядер, т.е. ядер, отличных от протонов. В этом случае образцы можно готовить в обычных растворителях, добавив лишь такое количество дейтерированного, чтобы сигнал дейтерия был достаточно интенсивным для нормальной работы системы лока ( см. разд. [2]

Отсутствие остаточного сигнала на конденсаторах устраняет накопление ошибки. [3]

Переходные процессы при переключении кремниевых транзисторов. [4]

Источники остаточных сигналов не являются единственными источниками помех в транзисторных ключах. Одним из основных недостатков, ограничивающих сферу применения транзисторов в качестве коммутирующих элементов в измерительных модуляторах, является наличие импульсной помехи, возникающей во время коммутации транзистора за счет емкостей коллекторного и эмиттерного переходов. Амплитуды выбросов составляют довольно значительную величину. На рис. 4 - 13 показаны переходные процессы для кремниевых транзисторов. [5]

Зависимость амплитуды остаточных сигналов разностного спект. [6]

Таким образом, для того чтобы интенсивность остаточных сигналов не превышала 2 %, частота линий не должна изменяться от прохождения к прохождению более чем на 1 % их ширины. Это близко к пределу стабильности частоты термостатированных кварцевых генераторов. Такая стабильность может быть достигнута, но это требует использования оптимальных конструкций приборов и тщательного контроля условий эксперимента. Использование при обработке данных экспоненциального умножения ССИ уменьшает амплитуду остаточных сигналов этого типа, поэтому желательно использовать экспоненциальную функцию с большим ушнрением линия, чем в оптимальном фильтре. [7]

Источниками помех в схемах струйной автоматики могут быть остаточные сигналы на выходах управляющего элемента, взаимосвязь входов элемента, случайные перетекания между каналами и камерами элемента. Последний вид помех не требует пояснений, два первых вида рассмотрены выше. [8]

Несмотря на это, в результате всегда остается некоторый остаточный сигнал, наблюдаемый при заполнении рабочей камеры азотом или воздухом. [9]

Тщательный анализ с использованием уравнения (2.6) показывает, что остаточный сигнал углерода на рис. 2.9 ( Ь) и ( d) соответствует менее, чем 5 % монослоя атомов углерода. [10]

Полимеры, облученные при комнатной температуре, не дают остаточных сигналов, по-видимому, вследствие того, что эти радикалы вступают в реакцию сшивания. [11]

Схема эксперимента по подавлению пиков с помощью предварительного насыщения. [12]

Подавление пиков необходимо чаще всего в водных растворах, поскольку остаточные сигналы воды велики, а многие вещества биологического происхождения растворимы только в воде, имеют высокую молекулярную массу н доступны в небольших количествах, так что подавляемый пнк - это обычно НОО. Его времена 7 н Т2 ( сильно зависящие, однако, от растворенного вешества) могут составлять 5 и 1 с, поэтому включения поля В2 напряженностью 20 Гц на 2 - 3 с должно быть достаточно. [13]

Затем сравнивают потоки радиации двух излучателей и добиваются минимального значения остаточного сигнала от двух потоков. [14]

Надо иметь в виду, что поскольку знак выброса и остаточного сигнала в каждый полупериод совпадают, действующее значение первой гармоники возрастает. Исследования показали, что амплитуда выброса зависит от величины напряжения управления и его знака, длительности фронта импульса тока управления, сопротивления нагрузки. Эксперименты подтверждают, что амплитуда выброса практически не зависит от частоты тока управления. На рис. 4 - 16 показаны частотные зависимости величины помехи для кремниевых и германиевых транзисторов. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5