Cтраница 1
Сила кристаллического поля сравнима с силой спин-орбитального взаимодействия. Спин-орбитальное взаимодействие снимается только частично, вследствие чего значение g - фактора заметно отклоняется от чисто спинового значения. Факторы часто являются анизотропными. [1]
Сила кристаллического поля Y, по-видимому, важна для mpawc - комплексов при протекании реакции по мости-ковому механизму. Поскольку это должна быть разрыхляющая орбиталь, то добавляемый электрон будет вызывать увеличение длин связи металл - лиганд, М - X и М - Y. Низкое кристаллическое поле игракс-лиганда допускает более легкое увеличение длин связи. [2]
Если сила кристаллического поля больше определенной величины ( А), спин-спаренные или низкоспиновые комплексы более устойчивы, чем спин-неспаренные 24, и наоборот. Гриффите и Оргел25 подошли к проблеме распределения d - электро-нов в d - сР - системах с количественной оценкой. [3]
![]() |
Диаграмма постепенного изменения энергетического состеяния комплекса при увеличении силы поля лигандов ( Д. [4] |
Если сила кристаллического поля больше определенной величины ( А), спин-спаренные или низкоспиновые комплексы более устойчивы, чем спин-неспарен - ные24, и наоборот. [5]
Если сила кристаллического поля больше определенной величины ( А), спин-спаренные или низкоспиновые комплексы более устойчивы, чем спин-неспаренные 24, и наоборот. Гриффите и Оргел25 подошли к проблеме распределения d - электро-нов в d - - системах с количественной оценкой. [6]
Если сила кристаллического поля больше определенной величины ( А), спин-спаренные или низкоспиновые комплексы более устойчивы, чем спин-неспаренные 24, и наоборот. [7]
XIV упоминалось, что сила кристаллического поля характеризуется величиной А, называемой параметром расщепления. Различные по природе адденды создают кристаллическое поле, характеризующееся разной величиной А. Положение же полосы поглощения зависит от параметра А. Таким образом, при сравнении спектров поглощения комплексов, содержащих следующие адденды: 1, Br -, C1 -, ОН -, RCOH, F -, H2O, NCS -, C5H5N, NH3, En, NO-i, CN -, оказывается, что максимум полосы поглощения первого типа смещается в коротковолновую область при переходе от аддендов правой части ряда к аддендам левой части. Однако часто имеет место отклонение от этого ряда. [8]
![]() |
Примеры ковалептных связей. [9] |
Разность между этими уровнями характеризует силу кристаллического поля А. [10]
Число уровней, которое монотонно растет с увеличением силы октаэдрического кристаллического поля, не приведено. Это графическое изображение введено Танабе и Сугано. Оно применимо ко всем ионам 3uf4, поскольку как W, так и Dq определяются в единицах, характерных для энергии данного иона. [11]
Часто величину расщепления А измеряют в единицах Dq ( мера силы кристаллического поля), произвольно полагая, что Д 10 Dq. Расщепление происходит так, что часть уровней понижается относительно первоначального состояния, принятого за начало отсчета, а другая часть уровней повышается. Относительные изменения энергии таковы, что средняя энергия расщепленных d - уровней остается неизменной. Алгебраическая сумма энергий всех пяти d - уровней равна нулю, что соответствует положению нерасщепленных d - уровней в изолированном атоме. [12]
А / 4 Ар-Часто величину расщепления А измеряют в единицах Dq ( мера силы кристаллического поля), произвольно полагая, что А 10 Dq. Расщепление происходит так, что часть уровней понижается относительно первоначального состояния, принятого за начало отсчета, а другая часть уровней повышается. Относительные изменения энергии таковы, что средняя энергия расщепленных cf - уровней остается неизменной. Алгебраическая сумма энергий всех пяти uf - уровней равна нулю, что соответствует положению нерасщепленных d - уровней в изолированном атоме. [13]
Действительно, было установлено [ 194, что если лиганды располагаются в порядке увеличения силы кристаллического поля Н20 oxalate C С EDTA NH3 en phen, то обмен между Со ( П) - Со ( 1П) очень быстрый для комплексов с лигандами, находящимися на любом конце ряда, и очень медленный для комплексов с лигандами в середине ряда. [15]