Силы - зеркальное отображение
Cтраница 1
 |
Схема действия сил на заряженную частицу на проводящей заземленной поверхности. [1] |
Силы зеркального отображения могут значительно превышать обычные величины сил адгезии. [2]
Силы зеркального отображения ( см. § 16) определяются теми зарядами, которые несут частицы до контакта их с поверхностью. Значения этих зарядов могут колебаться в широких пределах. Поэтому можно ожидать, что в соответствии с формулой ( IV16) разброс значений кулоновской компоненты сил адгезии будет пропорционален квадрату заряда частиц и в данном случае кулоновские силы могут отличаться друг от друга в 225 раз. [3]
 |
Схема возникновения сил разить уравнением - . [4] |
Возникают силы зеркального отображения. При взаимодействии противоположно заряженных частиц происходит смещение точки приложения эквипотенциального заряда в сторону зоны контакта. [5]
Кулоновские силы ( силы зеркального отображения) проявляются, когда частицы предварительно заряжаются под действием поля высокого напряжения. Кулоновские силы по своему значению перекрывают молекулярные и электрические ( за счет контактной разности потенциалов) и определяют адгезию частиц. Они проявляются в начальный момент контакта частицы с поверхностью. Проводимость материала частицы и зоны контакта, а также влага способствуют утечке заряда и снижению улоновских сил, а следовательно, и адгезии. [6]
Кулоновские силы ( силы зеркального отображения) проявляются, когда частицы предварительно заряжаются под действием поля высокого напряжения. [7]
Анализируя приведенные данные, можно сделать вывод, что силы зеркального отображения при отсутствии подзарядки частиц необходимо учитывать для сильнозаряженных проводящих частиц лишь в первый момент контакта их с заземленной поверхностью. [8]
Анализируя приведенные данные, можно сделать вывод, что силы зеркального отображения при отсутствии подзарядки частиц необходимо учитывать для сильнозаряженных проводящих частиц лишь в первый момент контакта их с заземленной поверхностью. Для частиц, обладающих изоляционными и полупроводниковыми свойствами, время действия сил зеркального отображения зависит от состояния среды ( влажности, температуры) и наличия на поверхности соприкасающихся тел адсорбционных слоев. Если поверхность непроводящая и не заземлена, а также маловероятны другие пути утечки зарядов, например за счет ионизации воздуха, то кулоновская сила может продолжительное время обусловливать адгезию частиц. [9]
Работа выхода электрона складывается в основном из работы по определению силы, действующей на электрон со стороны двойного слоя, и силы зеркального отображения. [10]
Задача определения сил адгезии заряженных частиц к незаряженной поверхности может быть све дена к рассмотрению кулоновского взаимодействия между частицами, находящимися по обе стороны поверхности на равном расстоянии от нее. Возникают силы зеркального отображения. При взаимодействий противоположно заряженных частиц происходит смещение точки приложения эквипотенциального заряда в сторону зоны контакта. [11]
Поверхностным потенциалом % было предложено называть потенциал, отвечающий работе переноса элементарного положительного заряда из глубины фазы в точку в вакууме, расположенную в непосредственной близости от поверхности данной фазы. Выражение в непосредственной близости нельзя считать вполне строгим; под ним обычно подразумевают то минимальное расстояние от поверхности данной фазы, на котором уже не проявляются так называемые силы зеркального отображения; это расстояние отвечает примерно 10 - 4 см. Под внутренним потенциалом g понимают потенциал, который отвечает работе переноса элементарного отрицательного заряда из бесконечности в вакууме в глубь данной фазы. Наконец, внешний потенциал ф соответствует работе переноса элементарного отрицательного заряда из бесконечности в точку, также находящуюся в вакууме, но расположенную в непосредственной близости от поверхности данной фазы. [12]
Поверхностным потенциалом % было предложено называть потенциал, отвечающий работе переноса элементарного положительного заряда из глубины фазы в точку в вакууме, расположенную в непосредственной близости-от поверхности данной фазы. Выражение в непосредственной близости нельзя считать вполне строгим; под ним обычно подразумевают то минимальное расстояние от поверхности дайной фазы, на котором уже не проявляются так называемые силы зеркального отображения; это расстояние составляет примерно 10 - 4 см. Под внутренним потенциалом g понимают потенциал, отвечающий электрической работе переноса элементарного отрицательного заряда из бесконечности в вакууме в глубь данной фазы. Наконец, внешний потенциал ijj соответствует работе переноса элементарного отрицательного заряда из бесконечности в точку, также находящуюся в вакууме, но расположенную в непосредственной близости от поверхности данной фазы. [13]
Обычно частицы, находящиеся во взвешенном состоянии, несут электрические заряды. Двигаясь к стенке аппарата, они индуцируют на ней равные по величине, но противоположные по знаку заряды. Возникают силы зеркального отображения. [14]
Приведенные выше формулы как диффузионной, так и диодной теории нуждаются в поправке, более точно учитывающей ход кривой потенциального барьера. II силы зеркального отображения заряда электрона у поверхности металла приводят к сглаживанию острого угла кривой потенциального барьера, изображенного на рис. 85 и 86, и к некоторому снижению высоты этого барьера. [15]
Страницы: 1