Cтраница 2
Давление паров мышьяка над расплавом стехиометрического состава, равное 0 976 ат, относительно высокая температура плавления GaAs и взаимодействие галлия с кварцем или графитом являются теми факторами, которые значительно усложняют технологию получения монокристаллов высокого качества. Для получения монокристаллов GaAs осуществляют выращивание монокристаллов из расплавов стехиометрического состава методами Бриджмена, Чохральского и бестигельной зонной плавки, выращивание монокристаллов из растворов-расплавов, содержащих избыток галлия, процессы переноса в паровой фазе. [16]
Однако, как было нами обнаружено, в присутствии галлия плавиковая кислота частично растворяет платину и, вследствие сравнительно низкой скорости взаимодействия галлия с плавиковой кислотой, платиновая чашка выходит из строя после проведения нескольких циклов получения фтористого галлия. [17]
При взаимодействии галлия с селенидом мышьяка получаем As2Se3 Ga - - Ga2Se3 As - 21 ккал. [18]
С целью уточнения исходных данных для термодинамических расчетов определены величины энтальпии и энтропии Аз2, стандартная энтальпия GaCl и энтропия плавления Са по результатам эксперимента, проведенного на кварцевом мембранном манометре. С учетом механизма взаимодействия галлия с АаС1, составлена система уравнений выходов реакций, решение которых выполнено на ЭВМ. Показано, что в зависимости от способов разбавления газовой смеси водородом концентрация НС1 после источника может значительно изменяться. Дана зависимость температуры начала кристаллизации СаАа от условии эксперимента. [19]
Одинаково ли интенсивно протекают реакции взаимодействия галлия и индия с кислотами. Написать уравнения протекающих реакций, учитывая, что во всех случаях галлий и индий окисляются до трехвалентного состояния. [20]
Галлий, подобно алюминию, образует защитную оксидную пленку. При комнатной температуре Ga, In и Т1 реагируют с галогенами, исключение составляет только взаимодействие галлия и индия с иодом, которое происходит только при нагревании. Все три металла при нагревании реагируют с кислородом, серой, селеном, теллуром, фосфором и не реагируют с водородом, азотом, углеродом, бором и водой, не содержащей растворенного кислорода. С щелочами реагирует только галлий. [21]
Ферроцианиды играют довольно важную роль в аналитической химии галлия, индия и таллия. Ферроцианид галлия Ga4i [ Fe ( iCN) 6 ] 3 получил еще Лекок де Буабодран, пользовавшийся им для выделения галлия из кислых растворов: из 12 % - ной соляной кислоты осаждается примерно 0 1 мг галлия из 10 мл раствора. Подробное исследование реакции взаимодействия галлия с ферроцианидом, предпринятое И. В. Тананаевым и Н. В. Баусовой [1056] при помощи современных физико-химических методов анализа, показало, что при отношении ферроциа-нид: галлий не выше 0 75 образуется указанный выше простой ферроцианид. [22]
Использование МОС для получения эпитаксиальных слоев AmBv приводит также к упрощению конструкции применяемой аппаратуры. Обычно установки для получения эпитаксиальных слоев из паровой фазы с применением металлического галлия или неорганических соединений галлия и мышьяка имеют реактор с двумя температурными зонами. В первой зоне при температуре 7 образуется летучее галлийсодержащее соединение в результате взаимодействия галлия или его соединения с галоидом или парами оды в атмосфере водорода. В этом случае галоид или пары воды служат транспортирующими агентами. Во второй зоне при Т2 7 соединение осаждается на подложке в атмосфере, содержащей пары соединений элементов V группы. Применение транспортирующих агентов приводит к подтрав-ливанию, а также легированию растущего эпитаксиального слоя примеся. Это может, например, привести к образованию слоя сплава в такой системе, как арсе-нид галлия на германии. Кроме этого, требуется точное поддержание температуры в зонах для того, чтобы образующееся соединение осаждалось на подложке. [23]