Cтраница 2
Теперь остановимся на исследовании механизма взаимодействия дефектов с дислокациями и попытаемся объяснить действие закалки на основании этих механизмов по крайней мере настолько насколько нам известны дефекты, образующиеся при закалке. [16]
Сделаем допущение, что энергия взаимодействия дефектов может быть представлена как сумма парных взаимодействий ближайших соседних дефектов при хаотическом распределении дефектов в кристалле. Отметим сразу, что это допущение содержит внутреннее противоречие. Действительно, при наличии взаимодействия между дефектами их распределение не должно быть хаотическим. [17]
В этом разделе говорится о таком взаимодействии дефектов, которое приводит к ассоциации двух или большего числа дефектов. [18]
При статистическом описании вклад в энергию от взаимодействия дефектов равен NaaEaa, где N аа - среднее число пар дефектов. [19]
В подходе [17] развивается метод определения энергий взаимодействия дефектов внедрения и полей внутреннего напряжения, позволяющий выявить роль напряжения в распределении дефектов. [20]
Описанные здесь опыты, поставленные для выяснения взаимодействия первичных дефектов с процессами пластичности, как видно, привели к открытию нового явления, которое было названо явлением искусственного сдвигообразования. Как следует из результатов опытов, тончайшие нарушения поверхности кристалла оказались местами генерации сдвигов, условно названными зародышами сдвигов. Тем самым эти опыты приобрели самостоятельное значение, так как дали нам в руки новый метод, позволяющий понимать и управлять фундаментальным явлением кристаллофизики - явлением пластичности. Поэтому ниже приводятся некоторые закономерности явления искусственного сдвигообразования. [21]
Как и в случае чистого сегнетоэлектрика, энергия взаимодействия дефекта с границей представляет собой здесь разницу величин Ze ( find ( xd) в области максимального взаимодействия и вдали от границы. [22]
Подобные сложные дефекты можно рассматривать - как результат взаимодействия дефектов простых типов. О взаимодействии дефектов можно говорить в связи с тем, что многие физические свойства двух расположенных рядом дефектов отличаются от суммы свойств двух изолированных дефектов в решетке. В кристаллах сложных соединений число типов дефектов увеличивается за счет возможного попадания частиц в чужую подрешетку или в связи с изменением расположения сложных частиц в узлах решетки. [23]
На III стадии упрочнение в основном связано со взаимодействием дефектов на разных масштабных уровнях. [24]
Система символов Риза [3] обеспечивает возможность изображать возникновение и взаимодействие дефектов. [25]
В некоторых случаях радиочастотные методы позволяют получить ценную информацию относительно взаимодействия дефектов в ионных кристаллах с их окружением. [26]
Таким образом, полученные данные свидетельствуют о том, что взаимодействие дефектов решетки с границами зерен оказывает существенное влияние на структуру и свойства последних, вследствие чего изменяется поведение и роль границ зерен в деформационных процессах. Эти результаты имеют важное значение для понимания природы процессов на границах зерен. Становится ясным, что ЗГП при СП течении осуществляется, очевидно, путем кооперированного перемещения ЗГД по поверхности границ зерен. Однако этот процесс тесно связан с движением решеточных дислокаций и вакансий. Решеточные дислокации создают условия для образования ЗГД, а их движение обеспечивает аккомодацию зерен при пластическом течении. [27]
Нами [31] с использованием этой модели были рассчитаны зависимости энергий взаимодействия дефектов от состава фазы со структурой флюорита ( Evv и Еее), зависимости А 50г () оксидов МО2 - д; с этой структурой ( а 5 4 А) и разными значениями / С [ 25, 35, 65, 851 при 1000 К. [28]
Свойство дефекта играть роль источника упругого поля является основным при описании взаимодействия дефектов. Но следует помнить, что это свойство отражает только одну сторону вызванных дефектом нарушений кристаллической решетки. [29]
Современная теория не дает полного описания вырожденных полупроводников из-за сложного характера взаимодействия дефектов. [30]