Зона - размытость
Cтраница 3
Как отмечалось ранее, наиболее простым способом формирования рисунка микросхемы является напыление элементов через свободные маски. Если при этом зазор между маской и подложкой отсутствует, линейные размеры элементов строго соответствуют размерам щелей в маске. Наличие зазора между подложкой и маской, устранить который полностью невозможно, приводит к образованию зоны размытости рисунка. Причем размер этой зоны, как показывает практика, увеличивается с ростом толщины маски и клинообразности профиля ее вырезов. С уменьшением же толщины снижается жесткость маски и увеличивается ее провисание под подложкой, что, в свою очередь, также приводит к росту зоны размытости. Кроме того, вследствие неодинаковости коэффициентов линейного расширения материалов маски и подложки в процессе осаждения происходит разогрев и взаимное смещение маски и подложки. Все эти факторы ограничивают применение метода свободной маски областью получения простых по конфигурации элементов микросхемы, требования к точности параметров которых невысоки. [31]
В основе субъективного метода лежит зрительное восприятие изображения в целом и его отдельных частей и сделанное на основе этого восприятия заключение о качестве репродукции. При таком подходе, естественно, возникает вопрос, по какому объекту и кто будет производить оценку репродукции. Практически установлено, что целесообразно производить оценку не по случайному материалу, а по специальной испытательной таблице. Таблица содержит вертикальные и горизонтальные группы линий различной толщины; веерообразно расходящиеся линии, постепенно суживающиеся к центру, применяются для оценки качества передачи деталей различной величины. Для оценки качества передачи контуров, определения их четкости и геометрических искажений на объекте нанесен ряд окружностей и квадратов. Оценка воспроизведения границ может быть сделана на основании визуального определения ширины зоны размытости. [32]
 |
Схема расположения подложки и маски. [33] |
Каждый из этих методов отличается в основном точностью в воспроизведении размеров компонентов и разрешающей способностью. Получение рисунка тонкопленочной ИМС методом свободной маски заключается в использовании маски-трафарета, изготовленной, как правило, из металлической пластины, имеющей щели и отверстия согласно топологии слоя, который нужно нанести на подложку. С помощью специального приспособления такую маску прижимают к подложке и устанавливают в напылительную камеру. После напыления материала на подложке создается рисунок. При использовании метода свободной маски в процессе напыления получается практически неустранимый микрозазор между маской и подложкой. Этот микрозазор влияет на погрешность в воспроизведении линейных размеров пленочных элементов. Наличие микрозазора приводит к образованию зоны размытости рисунка. [34]
Страницы: 1 2 3