Зона - рост - кристалл
Cтраница 1
Зона роста кристаллов находится в участке циркуляционной трубы 6 ( см. рис. 2.10), в котором пересыщение раствора снимается на рост и образование зародышей. [1]
Степень совершенства кристаллов зависит от картины теплового поля в зоне роста кристаллов, а следовательно, и от степени пересыщения пара над поверхностью растущих кристаллов, а также от точности поддержания температуры в процессе их роста. [2]
Качество выращиваемых кристаллов зависит от многих факторов: характера температурного поля в зоне роста кристалла, режима цикла кристаллизации, атмосферы в рабочей камере и ряда Других. [3]
Качество выращиваемых кристаллов зависит от многих факторов: характера температурного поля в зоне роста кристалла, режима цикла кристаллизации, атмосферы в рабочей камере и ряда других. [4]
Характерной особенностью кристаллизаторов с циркулирующим раствором является отделение в них зоны создания пересыщения от зоны роста кристаллов. В этих аппаратах время прохождения жидкости от одной зоны к другой может оказаться слишком продолжительным, чтобы растворы сохранялись метастабильными и свободными от зародышей. Поэтому для веществ, обладающих такой повышенной способностью к кристаллизации, аппараты с циркулирующей суспензией обеспечивают наиболее благоприятные условия для роста кристаллов, поскольку они находятся в зоне пересыщенного раствора. [5]
Над ним установлен перфо -; рированный металлический диск или; экран, который отделяет зону раство-I рения от зоны роста кристалла, а в верхней части автоклава подвешивают соответствующим образом ориентированные заправочные монокристаллы. [6]
В целом результаты исследования стационарного поля в камере синтеза позволяют оптимизировать геометрические параметры реакционного объема, наилучшим образом размещать в нем зоны роста кристаллов и растворения исходного углесодержащего вещества, а также по положению кристалла в реакционной зоне оценивать локальные температурные условия его роста. [7]
Уменьшение скорости роста размеров кристаллов в кристаллизующихся гелях ( см. рис. 1.13) начинается тогда, когда из-за уменьшения массы аморфной фазы ее растворение уже не обеспечивает возрастающего потребления компонентов раствора растущими кристаллами и постоянства концентраций в зоне роста кристаллов. [8]
Анализ данных рис. 3.33 показывает, что максимальный выход требуемой фракции ( 400 - 600 мкм), равный 70 - 80 %, наблюдается при Wa 0 04 - 4 - - 5 - 0 05 м / с в нижнем сечении зоны роста кристаллов в аппарате. [10]
Кристаллы карбида кремния выращивают в цилиндрическом графитовом тигле, состоящем из стакана с крышкой и тонкостенного цилиндра ( диафрагмы), вставленного в стакан. Диафрагма служит для образования зоны роста кристаллов и одновременно является подложкой. Толщина диафрагмы составляет 0 15 - 0 20 мм. Радиальные отверстия имеют диаметр порядка 0 8 мм. [11]
В тигель помещают исходный материал, который затем испаряется. Пары вещества переносятся в зону роста кристаллов транспортирующим газом. [12]
Кристаллизаторы рассматриваемого типа включают две зоны: зону роста кристаллов, где кристаллическая фаза образует взвешенный слой, и зону пересыщения раствора. Обе зоны связаны между собой контуром циркуляции раствора. [13]
Багдасарова разработана более совершенная система автоматического регулирования температуры в зоне роста кристалла на установке Сапфир, основанная на стабилизации мощности электропитания на базе цифровой техники с использованием мини - ЭВМ и стандартных модулей типа КАМАК. Быстродействующая стабилизация электропитания установки позволяет предотвратить быстрые скачки напряжения на нагревателе и, как следствие, термоудары, приводящие к появлению механических напряжений, выпадению инородной фазы, повысить оптическое качество кристаллов. [14]
Положительное влияние иона F - на рост кристаллов связано также и со способностью фтора замещать кислород при построении кристаллической решетки. Близость размеров этих двух ионов позволяет фтору при недостатке в зоне роста кристалла кислорода занимать место последнего в строящейся решетке и предотвращать тем самым торможение процесса роста кристаллов. [15]
Страницы: 1 2