Зона - поверхностное состояние
Cтраница 1
 |
Параметры, описывающие энергетическую зонную структуру при поверхностной области полупроводника р-типа. [1] |
Зоны поверхностных состояний в полупроводниках и диэлектриках могут попадать в энергетическую щель, частично или в значительной степени перекрываться с разрешенными зонами объемных состояний. Поверхностные состояния, так же как и примесные, можно подразделять на акцеп-тороподобные и донороподобные. По условию, акцептороподобные состояния нейтральны, если они свободны, и отрицательно заряжены, если заполнены. Донороподобные состояния заряжены положительно, когда пусты, и нейтральны, когда заполнены. [2]
Следовательно, уровень Ферми едва проникает в зону пустых поверхностных состояний. Вследствие малой величины поверхностной запрещенной зоны ( 0 2эВ) в случаях как тг -, так и р-легирования часто говорят, что уровень Ферми закреплен при единственно возможной энергии пининга. [4]
Следует, однако, заметить, что из-за неупорядоченности поверхности возникновение зоны поверхностных состояний маловероятно, хотя плотность состояний в определенных условиях может быть очень велика. Действительно, до сих пор не имеется никаких надежных экспериментальных данных, подтверждающих существование зоны делокализованных поверхностных состояний. [5]
 |
Параметры, описывающие энергетическую зонную структуру при поверхностной области полупроводника р-типа. [6] |
В металлах энергетическая щель вблизи уровня Ферми отсутствует, и плотность электронов в объемных состояниях в этой области высока. Зоны поверхностных состояний накладываются на сплошной спектр электронных уровней металла. [7]
ЭТ) одномерной модели теперь превращаются в зоны поверхностных состояний ( зоны и 9f), связанные с адсорбированным слоем и поверхностью кристалла. Самое большее могут образоваться две такие зоны, причем каждая из них содержит N2 уровней, соответственно числу атомов в адсорбированном слое. При г 4 1 ( обычный случай) возникают новые свойства. При этом второй член во вторых скобках уравнения ( 19) не исчезает и условие собственных значений оказывается не идентичным таковому в одномерной модели. [8]
 |
Образование свободных валентностей при расколе алмаза по плоскости ( 111.| Поверхностные со стояния Шокли. [9] |
Три остальные орбитали при этом по-прежнему принадлежат всему кристаллу. Когда на поверхности имеется большое количество свободных орбиталей, то они образуют квазинепрерывную зону поверхностных состояний. [10]
 |
Нейтрализация иона на поверхности металла, сопрово-ждаемая эмиссией огеровского электрона ( следуя Хагструму. [11] |
Шокли отмечает, что подобного рода поверхностная проводимость не была обнаружена. Он предположил, что это несоответствие можно отнести за счет слоев адсорбата, который в результате передачи электронов поверхностным состояниям заполняет зону поверхностного состояния. [12]
Следовательно, основные черты одномерной задачи сохраняются. Единственная разница состоит в том, что дискретное концевое состояние, имевшееся в одномерной задаче при г 1, теперь превращается в зону поверхностных состояний с шириной 8 р, содержащую jV2 уровней, которые, конечно, лежат вне нормальной зоны состояний кристалла. Если г не слишком велико, поверхностная зона перекрывает нормальную зону кристалла, но когда z велико, эти две зоны совершенно разделены и амплитуды волновых функций нормальных кристаллических состояний становятся на поверхностных атомах исчезающе малыми. Данное положение представляет интерес, поскольку означает, что по отношению к внешним взаимодействиям кристалл ведет себя как двумерный слой атомов, электронная структура которого описывается зоной поверхностных состояний. [13]
Si, связывают с возникновением узкой энергетич. На поверхности ( 111) Si на каждый поверхностный атом приходится 1 оборванная связь. Поэтому зона поверхностных состояний заполнена только наполовину. [14]
В результате значительного заполнения поверхности координационно связанной водой происходит существенное затягивание неподеленных пар электронов сорбированных молекул на вакантные Sd-орбитали ванадия. В видимой области спектра формируется протяженное, бесструктурное поглощение, свидетельствующее о коллективном состоянии свободных Зй-электронов. Образование зоны поверхностных состояний связано с плотным расположением атомов ванадия на поверхности, при котором диффузные Sd-орбитали в достаточной степени перекрываются, а Зс / - электроны делокализуются на поверхности. [15]
Страницы: 1 2