Cтраница 2
Магнитный резонанс в веществах, находящихся в конденсированном состоянии, регистрируется обычно электромагнитным методом. В нестационарном методе энергия должна быть подведена к системе диполей или отобрана от нее для соответственного увеличения или уменьшения среднего значения угла а; при этом происходит обмен энергии, запасенной системой диполей, с источником электромагнитного излучения. В стационарном методе энергия должна быть приложена для поддержания величины угла сх большей, чем при тепловом равновесии. Эта энергия может быть обнаружена либо путем измерения дополнительных потерь в электромагнитной системе, либо благодаря ее проявлению в виде тепла, вызывающего нагрев вещества в конденсированном состоянии. В методах спинового эха наблюдаемый сигнал также индуцируется либо свободной, либо вынужденной прецессией магнитного момента. [16]
Так как энергия реально установившегося поля по теореме Томсона должна быть минимальной, то из полученного результата видно, что незаряженный проводник должен как бы втягиваться в область, где расположены заряженные проводники. Действующие при этом на него силы объясняются тем обстоятельством, что поле, в котором он находится, вызывает его поляризацию: положительные и отрицательные заряды перераспределяются на его поверхности так, что, оставаясь в целом нейтральным, проводник приобретает свойства, аналогичные системе диполей. В одних точках его поверхности образуется избыток положительного заряда, в других же - отрицательного. [17]
Обычная линейная решетка представляет собой систему элементарных излучателей, расположенных вдоль питающей линии передачи, и имеет несимметричную диаграмму направленности, широкую в плоскости, перпендикулярной к оси решетки. Для работы в режиме бокового излучения элементы должны возбуждаться син-фазно; кроме того, для исключения лепестков второго порядка расстояние между элементами должно быть заметно меньше длины волны. Такая антенна может состоять либо из системы диполей [ ПО, 248, 685 ], либо из системы излучающих щелей. Для решетки из щелей, прорезанных в стенке прямоугольного волновода [512], указанные условия возбуждения выполняются при расположении щелей на расстоянии, приблизительно равном VaV Необходимое попеременное изменение полярности возбуждения получается для шун-товых смещенных щелей за счет смещения в соответствующую сторону от средней линии, а для шунтовых наклонных щелей - за счет наклона в противоположных направлениях. [18]
При очень низких темп - pax, когда тепловые возбуждения не могут воспрепятствовать магн. К), а также медь и платина ( при темп-рах 10 - 0 1 К), в к-рых система диполей образована ядерными магн. [19]
Как было указано выше ( § 12), степень поляризации свечения в направлении возбуждения зависит от частоты и поляризации возбуждающего света, от расположения люминесцентных молекул относительно направления колебаний возбуждающего света и от направления наблюдения. Но, кроме этого, она столь же сильно зависит от свойств поглощающих и излучающих центров и от движений: молекул, которые они совершают за время возбужденного состояния. В цитированной выше работе о поляризованной люминесценции С. И. Вавиловым и автором [102] были рассмотрены простейшие случаи возникновения поляризованной люминесценции при излучении системы неподвижных диполей, равномерно распределенных по всем направлениям, и диполей, вращающихся в плоскости. [20]
Часть ее, определяющаяся возмущением атомных электронов, практически безынерционна и мгновенно следует за движением локализованного электрона. Иначе ведет себя доля поляризации, связанная с ориентацией существующих или индуцированных диполей. Так как перемещение ядер атомов и молекул происходит со скоростями, много меньшими скорости движения электрона, ориентационная поляризация обладает существенной инерционностью и не успевает следовать флуктуациям последнего. Раз возникнув, она в дальнейшем является энергетической ловушкой для электрона, ее образовавшего, даже в отсутствие каких-либо дефектов. Другими словами, локальная поляризация диэлектрика будет стационарно поддерживать электрон в локализованном состоянии, а он, в свою очередь, будет поддерживать стационарную поляризацию кристалла. Величина поляризации определяется квантово-механическим средним значением поля электрона и форму потенциальной ямы в этом случае можно рассчитать как потенциал системы идеальных диполей, размещенных в узлах кристаллической решетки. [21]