Система - кристалл
Cтраница 1
 |
Система кристаллографических осей.| Геометрические характеристики семи кристаллических систем. [1] |
Системы кристаллов различаются характером взаимного расположения кристаллографических осей и их длиной. [2]
Возникновение в системе кристаллов с размером меньше г необъяснимо термодинамически и происходит как флюктуаци-онное явление. [3]
 |
Связь между параметрами ячеек прямой и обратной решеток. [4] |
В зависимости от системы кристалла межплоскостное расстояние d может быть равно, но может быть и не равно длине оси ячейки прямой решетки; К - константа. Если а, Ь и с получены из рентгенограмм в безразмерной форме, то К - длина волны используемого излучения. [5]
Если известна только система кристалла, то в 38 случаях можно однозначно определить пространственную группу. Если известны лауэвский класс и система кристалла, то в 50 случаях пространственная группа определяется однозначно. Если для образца определена точечная группа другими методами, то можно однозначно определить 186 пространственных групп. Из остальных групп 22 образуют энантиоморфные пары, 4 группы представляют специальные пары и 18 групп являются парами, которые можно различить, если известна ориентация точечной группы относительно решетки. Практически с помощью рентгеновского метода можно одиозна но определить 58 пространственных групп. [6]
При удалении из системы кристаллов A2XY фигуративная точка смещается от точки К к точке М, отвечающей насыщенному раствору. [7]
Выпадение в процессе охлаждения системы кристаллов изменяющегося состава с последующим их отделением называется фракционной кристаллизацией. С физико-химической точки зрения этот процесс аналогичен фракционной перегонке жидкостей, образующих однородные растворы. [8]
Направление плоскостей легчайшего сдвига зависит от системы кристалла. [9]
Для двухосных кристаллов тип погасания зависит от системы кристалла. [10]
 |
Растворимость суль. [11] |
Вместе с тем для предотвращения выпадания в системе кристаллов раствор должен быть ненасыщенным. [12]
При свободном росте на катоде единичного кристалла или системы разобщенных кристаллов самопроизвольно поддерживается условие / / S / C, где / - сила тока, S - - величина поверхности, на которой происходит выделение металла, а К - постоянная, зависящая от природы металла и состава раствора. Это соотношение говорит о том, что в данном растворе, независимо от величины общего тока в цепи ячейки, скорость отложения вещества на грани сохраняется постоянной. Этот закон подтверждается опытами Атена и Берлаге, установивших, что количество кристаллов на катоде пропорционально силе тока, а также опытам А. Т. Ваграмяна, К. М. Горбуновой и А. И. Жуковой, исследовавших закономерности роста нитевидных кристаллов. [13]
Нужно иметь в виду, что в зависимости от системы кристалла некоторые из отражений являются идентичными по интенсивностям. Данные, используемые для решения кристаллической структуры, должны представляться набором независимых отражений. Таблицы соответствующих факторов повторяемости для каждой кристаллической системы приведены в первом томе Интернациональных таблиц на стр. [14]
Устройство состоит из источника света, буквенно-цифрового трафарета, системы кристаллов, отклоняющих луч лазера в заданную точку экрана и двух фокусирующих линз. [15]
Страницы: 1 2 3 4