Система - параметр
Cтраница 2
Система параметров используется в специальных программах численных расчетов динамических задач на ЭВМ. [16]
Система параметров, определяющих класс явлений, должна обладать свойством полноты. Это значит, что она должна содержать параметры, через размерности которых могут быть выражены размерности определяемых параметров. [17]
Система параметров диодов включает большое число параметров. Параметры диодов подразделяются на предельные параметры, определяющие предельно допустимые значения - максимально и ( или) минимально допустимые значения - и характеризующие ( рабочие) параметры. [18]
Система параметров тиристора позволяет выбирать при-ббры при проектировании различных устройств. [19]
 |
Проходные вольт-амперные характеристики МДП-тетрода. [20] |
Система параметров полевых транзисторов, как и любого класса активных элементов, определяющая качество приборов и надежность работы схем применения, состоит из параметров, описывающих вольт-амперные характеристики, и параметров, измерение которых позволяет рассчитать элементы эквивалентных схем замещения. [21]
Система параметров симметричной цепи определена, если выбрать вычеты / ц равными вычетам г / 22 - Таким образом, можно приступить к реализации, начиная с системы симметричных г / - параметров, удовлетворяющих условию вычета. В следующем параграфе будет показано, что выбор определенным образом полюсов у приведет к максимальному значению постоянной усиления в симметричной цепи. [22]
Вся система параметров и характеристик, приведенная выше, в полной мере применима к фотосопротивлениям. [23]
 |
Бестрансфорыаторный вариант схемы триггера на тетрод-ном тиристоре. [24] |
Такая система параметров имеет больше общего с системой параметров импульсных транзисторов [157], чем с системой параметров Т Т и ДТ ( см. гл. Это обусловлено отсутствием падающего участка на ВАХ рассмотренной четырехвыводной р-п-р-п структуры. [25]
Предложена система параметров, которая определяет течение в произвольном сечении несжимаемого магнитогидродинамического пограничного слоя. С помощью теории размерностей найдены критериальные зависимости для параметров отрыва ламинарного и турбулентного пограничных слоев проводящей жидкости при наличии магнитного и электрического полей, а также вдува среды через обтекаемую поверхность. Проведено сравнение некоторых из критериальных зависимостей с результатами точных решений. [26]
Обе системы параметров равнозначны, и всегда возможен переход от одной системы к другой. [27]
Все системы параметров четырехполюсника в принципе равноценны, но наиболее часто в транзисторной технике используется смешанная система / ьпараметров. Системы Z - и У-па-раметров имеют существенные недостатки: при измерении Z-параметров трудно создать условия холостого хода для переменного тока. Это объясняется тем, что транзистор является прибором с малым входным и большим выходным сопротивлениями. Параметры наиболее удобно измерять в режиме холостого входа для входной и короткого замыкания для выходной цепей, что и обеспечивается в системе / г-параметров. [28]
Выбор системы параметров приобретает большое значение при анализе работы многокаскадного усилителя без расчленения его на каскады. В этом случае при последовательном включении четырехполюсников удобнее пользоваться системой г-параметров, при параллельном - / - параметров, при смешанном ( выходы параллельно, входы последовательно) - А-параметров. [29]
 |
Схема подключения транзистора как четырехполюсника. [30] |
Страницы: 1 2 3 4