Система - параметр - транзистор
Cтраница 1
Система параметров транзисторов насчитывает более пятидесяти параметров и характеристик. Как и для диодов, параметры транзисторов подразделяются на параметры, имеющие предельно допустимые значения [ максимально и ( или) минимально допустимые значения ] и параметры, значения которых характеризуют свойства приборов. [1]
Выбор системы параметров транзистора имеет определенное значение, так как каждая система параметров обеспечивает более простой анализ усилительного устройства или дает некоторые преимущества по сравнению с другими системами. Например, Z-параметры определяются только в режиме холостого хода на входе и выходе транзистора. При холостом ходе на выходе транзистора режим выходной цепи транзистора изменяется незначительно и точность измерения параметров получается невысокой. Это является одной из причин использования эквивалентных схем транзисторов с гибридными параметрами. [2]
 |
Симметричное определение направлений токов и напряжений транзистора. [3] |
Все приведенные выше системы параметров транзисторов имеют тот недостаток, что при переходе от одной схемы включения к другой получаются несимметричные формулы, вывод которых затруднителен. Для постоянных токов можно использовать старые определения ( рис. 11 - 37), так как режим работы транзистора по постоянному току и определение его поведения на переменном токе обычно представляют собой две совершенно различные проблемы. [4]
Значительная часть сборника посвящена обсуждению системы параметров транзисторов, тиристоров и диодов и методам измерения этих параметров. [5]
 |
Взаимосвязь параметров транзисторов.| Низкочастотные линейные модели транзистора. а - с источником напряжения. 6 - с источником тока. [6] |
Параметры модели определяют через какую-либо систему параметров транзисторов, найденных для соответствующей схемы включения. [7]
В настоящее время дискуссия о системе параметров транзисторов далеко еще не потеряла остроты. Имеются предложения о включении в ТУ г / - параметров для всех транзисторов, предназначенных для работы на частотах свыше 50 Мгц. Существование двух подходов к проблеме описания высокочастотных транзисторов и острота этой проблемы определяются в первую очередь задачами организации производства таких транзисторов. Главный вопрос при этом - какая система параметров положена в основу требований ТУ на транзисторы. [8]
Следует иметь в виду, что системой параметров транзистора можно пользоваться только при малых входных сигналах. Чтобы подчеркнуть это, их называют малосигнальными параметрами. [9]
 |
Бестрансфорыаторный вариант схемы триггера на тетрод-ном тиристоре. [10] |
Такая система параметров имеет больше общего с системой параметров импульсных транзисторов [157], чем с системой параметров Т Т и ДТ ( см. гл. Это обусловлено отсутствием падающего участка на ВАХ рассмотренной четырехвыводной р-п-р-п структуры. [11]
Сторонники одной рассматривают транзистор как эквивалентный четырехполюсник и в качестве системы параметров транзистора предлагают использовать одну из систем у -, h - или s - параметров. Сторонники другой точки зрения, к которым принадлежат авторы настоящей статьи, считают целесообразным характеризовать высокочастотные свойства транзистора с помощью параметров физической эквивалентной схемы. При таком подходе параметры эквивалентного четырехполюсника, удобные для анализа схем, в каждом отдельном случае могут быть более или менее точно вычислены по эквивалентной схеме. [12]
Повышение точности двухсекционных моделей возможно прежде всего путем учета зависимостей электрических параметров от токов и напряжений ветвей эквивалентной схемы. Очевидно, что учет таких зависимостей, повышая точность модели, увеличивает как количество параметров, так и объем требующихся вычислений. Так, для анализа схем на низкочастотных транзисторах, где главной причиной инерционности является накопление носителей в базе, модели NET-1 и ПАЭС могут использоваться без учета зависимостей барьерных емкостей от напряжений иэ и UK, что приводит к исключению параметров пэ, пк, фОЭ, рок из системы параметров транзистора. [13]
Страницы: 1