Разрешенная энергетическая зона

Cтраница 1

Разрешенная энергетическая зона, расположенная непосредственно над валентной зоной, Нс1зывается зоной проводимости. С повышением температуры тепловая энергия атомов кристаллов возрастает, что приводит к их возбуждению. При этом часть электронов валентной зоны перебрасывается в зону проводимости. Кристалл приобретает свойства проводника, так как, во-первых, освобождается часть разрешенных энергетических подуровней в валентной зоне и, во-вторых, электроны, попавшие в зону проводимости, получают возможность перемещаться с одного подуровня на другой. [1]

Разрешенные энергетические зоны разделены зонами запрещенных значений энергии, называемыми запрещенными энергетическими зонами. Ширина зон ( разрешенных и запрещенных) не зависит от размера кристалла. [2]

Разрешенные энергетические зоны разделены зонами запрещенных значений энергии, называемыми запрещенными энергетическими зонами. В запрещенных зонах электроны находиться не могут. Ширина зон ( разрешенных и запрещенных) не зависит от размера кристалла. [3]

Разрешенные энергетические зоны разделены зонами запрещенных значений энергии, называемыми запрещенными энергетическими зонами. В них электроны находиться не могут. Ширина зон ( разрешенных и запрещенных) не зависит от размера кристалла. [4]

Разрешенная энергетическая зона - интервал энергий, заполненный собственными значениями энергии квазичастицы в кристалле. [5]

Разрешенная энергетическая зона, возникшая из одного уровня в изолированном атоме, состоит из N близких уровней, где N - общее. В 1 м3 твердого тела находится 1028 - 1029 атомов. Такай же порядок величины имеет и число уровней в зоне. Поэтому общая ширина разрешенной зоны составляет несколько электрон-вольт. Подобно тому как в изолированном атоме дискретные уровни энергии разделены областями недозволенных значений энергии, в твердом теле разрешенные энергетические зоны разделены зонами запрещенных значений энергии. Ширина запрещенных зон соизмерима по величине с шириной разрешенных зон. [6]

Разрешенные энергетические зоны по волновому числу / с имеют равные протяженности А / с к / а. По энергиям ширина зон уменьшается с увеличением энергии. Ширина запрещенных зон энергии, наоборот, с увеличением энергии уменьшается. В пределе при очень больших энергиях зависимость E ( k) приближается к зависимости Е ( К) hk2j ( 2m для свободных электронов. [7]

Разрешенные энергетические зоны, располагающиеся ниже валентной, всегда заполнены электронами полностью. Валентная зона может быть заполнена полностью или частично. Например, в кристалле натрия валентная зона заполнена наполовину. [8]

Разрешенные энергетические зоны кристаллов состоят из большого количество близких друг к другу подуровней. Количество таких подуровней в несколько раз превышает количество атомов в кристалле, число которых достигает К) 23 в одном кубическом сантиметре. [9]

Любая разрешенная энергетическая зона состоит из большого числа близкорасположенных энергетических уровней, на каждом из которых может находиться по два электрона с противоположными спинами. [10]

Образование энергетических зон у алмаза.| Образование энергетических зон у теллура. [11]

Разрешенную энергетическую зону, в которой при абсолютном нуле температуры все энергетические уровни заняты электронами, называют заполненной зоной. [12]

Перекрытие разрешенных энергетических зон имеет место в верхней части энергетического спектра, где уровни энергии отдельного атома весьма близко расположены один от другого. [13]

Это условие определяет разрешенные энергетические зоны. [14]

Уровни энергии электронов по зонной теории. [15]

Страницы: 1 2 3 4