Крайняя зона

Cтраница 2

Схемы AGO с жестким основанием и соответствующие им эпюры давлений в зоне воздушной подушки. [16]

У AGO - второго типа образуются две зоны давления: средняя зона с постоянным давлением р2, ограниченная радиусом ге, и крайняя зона, в которой давление р меняется от р2 до давления, примерно равного давлению-окружающей среды. [17]

Электрическая схема трехзанного регулирования температуры в реакторе. [18]

В указанной схеме сигнал задающего устройства ЗУ1 регулятора средней зоны Pi используется для установки абсолютного значения температуры, а с помощью задатчиков крайних зон ЗУг и ЗУ3 корректируется температурный профиль по длине реактора. [19]

Достоинством метода является зависимость распределения смещения полос и плотности непосредственно от радиуса осесимметричной неоднородности и удовлетворительное совпадение расчетных и экспериментальных результатов для крайних зон осе-симметричной неоднородности. Более точную аппроксимацию можно получить при замене искомой функции некоторой квадратичной, имеющей вид а-гг b r с, где коэффициенты м -, Ь / и с для каждой / - Й зоны выражались через значения в граничных точках зоны. [20]

Это объясняется тем, что под воздействием напряжения между витками проводящей ленгы возникают электролитические процессы в керамическом основании резистора, что приводит к разрушению крайних зон витков токопроводящего слоя. При повышении температуры эти процессы значительно активизируются. При эксплуатации резисторов в точной аппаратуре необходимо учитывать изменение их сопротивления в течение длительного времени. [21]

Робер искусственно подразделяют слой жидкого металла на три зоны и предполагают, что в средней зоне вторичные токи протекают поперек канала, а в двух крайних зонах и в шинах вдоль канала. Исходя из этого вычисляют сопротивления для разных зон и боковых шин и составляют схему замещения. Степень правильности получаемых при этом результатов остается неизвестной, и сами авторы указывают, что математическое определение ширины отдельных зон является деликатным делом. [22]

Более подробное изучение относительных времен удерживания по зонам внутри данной модификации показало, что для ряда веществ колебания относительных времен удерживания не существенны и наблюдаются в основном либо для эвтектики, либо для крайних зон. Изучение эффективности разделения пиридиновых оснований, этиловых эфиров пири-динкарбоновых кислот, спиртов и некоторых - других веществ показало, что наблюдается определенная зависимость изменения числа теоретических тарелок от зоны - и модификации полиэфира. [23]

Стыки досок и брусков по длине клееных криволинейных элементов при отношении радиуса их кривизны г к толщине а доски или бруска г / а 300 осуществляют на ус или на зубчатый стык в крайних зонах глубиной не менее / ю высоты сечения. [24]

Схемы фрикционных передач с постоянным передаточным. [25]

Наличие скольжения на площадках касания фрикционных тел ограничивает диапазон регулирования в одноступенчатых вариаторах в связи с падением предельной передаваемой мощности при малых угловых скоростях ведомого звена, большими потерями на трение и резким уменьшением КПД в крайних зонах диапазона регулирования. [26]

При радиально-многоструйной косвенной системе, показанной на рис. 3 - 14, осевые вентиляторы, расположенные по торцам ротора, подают охлажденный водород в отсеки холодного газа А, В, С и частично под роторные бандажи и в крайние зоны зазора между ротором и статором. Из отсеков газ поступает в вентиляционные каналы сердечника статора и затем в тот же зазор. Из зазора газ направляется в вентиляционные каналы /; / /, / / / и IV зон сердечника и далее через отсеки горячего воздуха в газоохладители, встроенные в машину и затем на вентиляторы. [27]

Устройство плоскостного диода, ( схематический разрез. [28]

Полупроводниковый триод, называемый также транзистором, представляет собой пластинку, состоящую из полупроводников двух различных проводимостей, которые образуют три зоны. Крайние зоны обладают проводимостью одного рода, а средняя зона - проводимостью другого рода. [29]

Распределение электронов, дырок и ионизированных атомов во всех трех зонах транзистора до приложения к ие. му напряжения.| Движение носителей зарядов в транзисторе типа р-п - р под воздействием напряжений. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5