Cтраница 3
Одной из наиболее сложных проблем разработки экономико-математических моделей ХТС является обобщение разнокачественных целей функционирования ее отдельных элементов. Очевидно, что ЭММ наиболее общих систем, отнесенные при их классификации к системам третьего класса, будут моделями векторной оптимизации х Х, F ( x) - нпах, определяющими некоторое множество разумных вариантов с точки зрения нескольких критериев. В настоящее время отечественная и зарубежная литература насчитывает большое число работ, в которых описаны различные алгоритмы решения многокритериальных оптимизационных задач. [31]
Мы будем рассматривать только системы третьего класса, так как все производства основного органического и нефтехимического синтеза разработаны, спроектированы и смонтированы человеком. В дальнейшем мы будем рассматривать как общие свойства систем, так и свойства, присущие системам третьего класса. [32]
Удовлетворительной может быть признана лишь та теория, которая объясняет критические уровни развития реакции, отвечающие началу и концу разупрочнения, а также постоянство деформации разрушения полностью разупрочненных композитов. Поскольку в системах псевдопервого класса отсутствует связь с толщиной зоны взаимодействия ( характерная для систем третьего класса), была предпринята попытка создать теорию, основанную на представлениях о критической площади взаимодействия. [33]
Что касается взаимных систем, то четверные возникают при соединении каждых трех катионов с каждой парой анионов и всех трех анионов с каждой парой катионов. Однако, начиная с шестерных систем третьего класса среди составляющих взаимных следует различать системы второго или третьего классов. Так, для систем 4 / / 3 взаимные системы второго класса возникают из каждых двух анионов с четырьмя катионами, а системы третьего класса - из каждых трех катионов со всеми тремя анионами. [34]
Ранее к третьему классу были отнесены системы, в которых реакция между упрочнителем и матрицей приводит к образованию слоя продуктов химического взаимодействия. Для композитов, изготовляемых диффузионной сваркой, реакция характеризуется коротким инкубационным периодом, в течение которого происходит-разрушение окисных пленок на поверхности каждого компонента. Напротив, в системах псевдопервого класса окисные пленки, по-видимому, достаточно стабильны, и их разрушение, делающее возможной реакцию, происходит лишь после продолжительной выдержки при повышенных температурах. Почти мгновенное разрушение пленок в системах третьего класса обеспечивает высокую однородность толщины зон взаимодействия, а спорадическое раз-рушение пленок в системах псевдопервого класса ведет к крайней неравномерности реакции вдоль волокна и толщины зоны-взаимодействия. Это различие в форме реакционной зоны влияет на закономерности обусловленного реакцией понижения прочности при продольном растяжении. [35]
![]() |
Излом композита титан - бор. [36] |
Понятия пределов прочности матрицы и волокна ам и 0В общеизвестны; их значения входят в ряд выражений, например для правила смеси. Предел прочности матрицы при сдвиге входит в выражения для критической длины волокна, обеспечивающей передачу нагрузки от матрицы к волокну. Некоторые из остальных параметров, введенных на рис. 3, не применялись ранее и будут мало использоваться в книге из-за незнания соответствующих количественных значений. Они введены с тем, чтобы подчеркнуть их важное значение для развития законченной теории поверхности раздела в системах третьего класса. Впрочем, один из этих параметров, а именно предел прочности продукта реакции, был определен количественно. Меткалф [26] указал, что модуль упругости соединения, образующегося при взаимодействии, иной, чем у матрицы и волокна. [37]
Самый простой вид взаимных систем четвертого класса - системы 4 / / 4 - уже содержат семь компонентов и, следовательно, могут быть изображены фигурами шестого измерения. Таким образом, они не имеют аналогов среди четырехмерных геометрических фигур. Это должен быть своеобразный шестимерный тетраэдр, каждой вершиной которого, в свою очередь, служит тетраэдр. Общее тетраэдрическое расположение комплексных вершин характерно для всех фигур, изображающих системы четвертого класса, так же, как их общее треугольное расположение характерно для фигур, изображающих системы третьего класса. И в том и в другом случае сами вершины представляют симплексы с числом вершин, равным числу катионов в системе. [38]