Система - у-параметр
Cтраница 2
При некоторых исследованиях удобно представить четырехполюсник электрической цепью, вид, которой определяется выбранной системой параметров. Формирование внутренней схемы четырехполюсника рассмотрим применительно к системе У-параметров и сначала для пассивного четырехполюсника. [16]
При работе с переменными сигналами малых амплитуд МДП-транзистор, так же как и биполярный, можно представить в виде линейного четырехполюсника. Вследствие высокого входного сопротивления МДП-транзисторов наиболее удобной как для измерений так и для использования является система У-параметров, смысл которых был разъяснен в § 4.7. Для схемы с общим истоком входная проводимость на низких частотах Уци - / юСзи, где Сзи - емкость затвор - исток, приблизительно равная емкости затвор - канал. [17]
Рассмотренная система У-параметров относится к основной схеме включения транзистора - схеме с общим эмиттером. Для других схем включения ( с общим коллектором и общей базой) нет необходимости вводить свою систему У-параметров, так как свойства транзистора, включенного по схеме с общим коллектором или общей базой, можно легко определить, используя его параметры в схеме с общим эмиттером. [18]
Из рисунка видно, что рассматриваемую цепь можно представить как систему из двух четырехполюсников, входы которых соединены последовательно. Последовательное соединение имеет место также и в выходных цепях. Усилительный элемент задан системой У-параметров. [19]
Для этого сначала необходимо выбрать систему параметров и соответствующую ей эквивалентную каноническую схему. Наиболее распространенными из этих систем являются системы Z -, У - и Я-параметров. В принципе, безразлично, какой из систем параметров пользоваться, так как все они в конечном счете правильно описывают свойства одной и той же схемы, хотя и в различной по форме записи. В теории ламповых усилителей принята система У-параметров. [20]
 |
Эквивалентная схема полевого транзистора с р-п-переходом. [21] |
Так как выходной ток / cgV3, то параллельно проводимости канала подключен соответствующий генератор тока. В эквивалентной схеме для удобства сопротивление канала заменено проводимостью, так как g имеет размерность проводимости и соответственно 1 / к есть внухреняя проводимость генератора тока. Полевые транзисторы отличаются от биполярных высоким входным сопротивлением, так как р - / г-переход включен в обратном направлении. Поэтому для расчета схем используется система у-параметров (3.45), легко определяемых из эквивалентной схемы ( рис. 4.4) при короткозамкнутом входе или выходе. [22]
Поэтому для него трудно создать условия холостого хода в цепи коллектора и режим короткого замыкания в цепи эмиттера. Кроме того, fe-napa - метры в меньшей степени зависят друг от друга и от рабочей точки транзистора. Недостатками А-параметров является меньшая точность измерения выходных параметров на высоких частотах, когда из-за паразитных емкостей затруднительно обеспечить условия холостого хода на входе. Поэтому в диапазоне высоких частот часто используют систему У-параметров. [23]
Страницы: 1 2