Cтраница 1
Система электронных уровней в жидкостях должна зависеть от среднего расстояния между атомами, которое меняется в широких пределах. Электрические поля, обусловленные соседними атомами, и расщепление электронных уровней отдельных атомов, вызванное этими полями, отчасти отличаются для разных атомов. Поэтому вырождение может сниматься, и часто более правильно рассматривать электроны связанными с отдельными атомами. Тепловое движение приводит к тому, что часть внешних электронов атомной оболочки переходит в свободное состояние. [1]
Особенности реальных полупроводников определяются особенностями их системы электронных уровней и наличием примесей, которые даже при крайне незначительном содержании оказывают большое влияние на электропроводность. Отметим сразу же, так как это обстоятельство будет иметь значение при рассмотрении полимеров с полупроводниковыми свойствами, что роль, аналогичную роли примесей, могут играть отклонения от стехиометрии, а также любые нарушения регулярности в цепи главных валентностей макромолекулы. [2]
Электрические свойства твердого тела, согласно данным физики, определяются системой электронных уровней и подвижностью ионов решетки. Последняя обусловливает ионную проводимость, которая сопровождается электролизом. Чаще носителями тока являются электроны, потенциальная энергия которых в твердом теле зависит от химической природы тела и от температуры. В твердых телах потенциальная энергия электронов U распределена по двум зонам: а) по зоне валентных электронов, закрепленных у определенных атомов решетки; б) по зоне свободных электронов проводимости. [3]
Электрические свойства твердого тела, согласно данным физики, определяются системой электронных уровней и подвижностью ионов решетки. Последняя обусловливает ионную проводимость, которая сопровождается электролизом. Чаще носителями тока являются электроны, потенциальная энергия которых в твердом теле зависит от химической природы тела и от температуры. В твердых телах потенциальная энергия электронов U распределена по двум зонам1: а) по зоне валентных электронов, закрепленных у определенных атомов решетки; б) по зоне свободных электронов проводимости. [4]
При сделанном отправном допущении в существенных поправках нуждается и другое ( весьма популярное) представление об адсорбированных молекулах как дефектах поверхности, влияющих на систему электронных уровней и могущих служить новыми примесными центрами. Это влияние должно быть значительно слабее, чем влияние примесных центров, создаваемых нелетучими модификаторами с инозарядными ( иновалентными) частицами, так как, по имеющимся наблюдениям, последние, при тех же количествах и при тех же изменениях ф, могут оказывать значительно большее действие на скорость хемосорбции Ч Часть затруднений отпадает при второй трактовке, если, например, допустить, что на поверхности полупроводников, оттренирован-ных при нагревании в высоком вакууме, сперва быстро происходит один практически необратимый процесс, заполняющий значительную часть монослоя. Этот процесс регенерирует исходную поверхность, разрушенную тренировкой, или создает новую поверхность, на которой происходит остальная более медленная хемосорбция, и не должен непосредственно приниматься во внимание при анализе кинетических изотерм. Слабой стороной второй гипотезы является неопределенность границы между двумя частями изотерм. [5]
Распространение понятия о бриллуеновских зонах кристалла на аморфное тело вряд ли уместно. Система электронных уровней в жидкости может зависеть только от среднего расстояния между атомами, флюктуирующего в значительных пределах. Электрические поля соседних атомов и вызываемые ими расцепления электронных уровней в различных атомах различны, резонанс сильно размыт, а электроны правильнее поэтому считать связанными с индивидуальными атомами. Тепловое движение диссоциирует часть связанных электронов, переводя их в свободное состояние. Наличие дырочной проводимости в жидких полупроводниках показывает, что и она не связана со строго периодической кристаллической структурой. [6]
Распространение понятия о бриллуеновских зонах кристалла па аморфное тело вряд ли уместно. Система электронных уровней в жидкости может зависеть только от среднего расстояния между атомами, флюктуирующего в значительных пределах. Электрические поля соседних атомов и вызываемые ими расцепления электронных уровней в различных атомах различны, резонанс сильно размыт, а электроны правильнее поэтому считать связанными с индивидуальными атомами. Тепловое движение диссоциирует часть связанных электронов, переводя их в свободное состояние. Наличие дырочной проводимости в жидких полупроводниках показывает, что и она не связана со строго периодической кристаллической структурой. [7]
Принципиально важным является и другой отмеченный там же вывод о том, что если частицы, составляющие кристаллическую решетку твердого тела, либо различаются по своей химической природе, либо, будучи совершенно одинаковыми, занимают в решетке не идентичные положения, то движение каждого сорта носителей тока, принадлежащих определенной энергетической зоне, происходит не по любому кристаллографическому направлению, а только по линиям, проходящим через структурно эквивалентные узлы решетки, занимаемые одинаковыми ] / частицами. Этот вывод связан с тем, что свободное движение носителей тока в кристалле является следствием волномеханического туннельного эффекта, позволяющего электронам вопреки классической теории проходить без изменения энергии сквозь высокий потенциальный барьер, разделяющий атомы в решетке, причем такое прохождение осуществляется лишь в том случае, если эти атомы, находящиеся по обе стороны потенциального барьера, имеют изоэнергетические системы электронных уровней. Последнее и требует, чтобы не только атомы ( или ионы) были сами по себе одинаковы, но и чтобы положения, занимаемые ими в решетке, были структурно идентичными. [8]
Органические красители в растворе отличаются высокими значениями поперечных сечений поглощения и испускания, а также широкими полосами. На системы синглетных и триплетных электронных уровней накладываются колебательные уровни. [9]
Таким образом, по мере сближения ядер может происходить промотирование - увеличение главного квантового числа. Образуясь из атомных состояний, возбужденные состояния молекулы также характеризуются главным квантовым числом, переходящим в двух предельных случаях ( R - Q и R - - oo) в главные квантовые числа объединенного и разъединенного атомов соответственно. При п - - оо система электронных уровней молекулы стремится к ионизационной границе, за пределами которой, как и у атома, лежит непрерывный спектр. [10]
Очевидно, здесь можно воспользоваться двумя различными способами описания. Один связан с составлением ряда, определяющего тенденцию ионов занимать то или иное положение в решетке, а другой сводится к построению системы электронных уровней. Между ними должна существовать определенная связь, так как в обоих случаях результаты зависят от фактических значений химических потенциалов ионов разной валентности, находящихся в двух различных положениях в решетке. Существует несколько способов установления расположения атомных ( или ионных) энергетических уровней, содержащих все сведения, необходимые для определения как ионного, так и электронного распределения. Наиболее удобно использовать представление о резервуаре электронов, удаленных из решетки на бесконечно большое расстояние. [11]
Значительная интенсивность окраски означает, что в этот интервал попало большое число отдельных электронов. Понятной становится также связь окраски с электропроводностью и многими другими физическими свойствами. В то же время, это дает указание на возможный механизм явления и намечает путь решения такого важного для теории вопроса, как вопрос о роли примесей в создании активных структур, так как хорошо известно, какое сильное влияние оказывают примеси на систему электронных уровней. [12]
Характерной особенностью квазилинейчатых спектров поглощения и люминесценции является их мультиплетный вид, который зависит от применяемого растворителя и условий кристаллизации раствора. В настоящее время наиболее распространенной точкой зрения на природу происхождения квазилинейчатых спектров является та, согласно которой расщепление полос в спектре на отдельные линии связано не с вырождением энергетических состояний молекулы, а с наличием разных типов излучающих центров вследствие различной ориентации примесных молекул в решетке растворителя. В этом случае локальные различия кристаллического поля, в котором находятся излучающие молекулы, приводят к различному смещению системы электронных уровней в примесной молекуле. Необходимо также учитывать и электрон-фотонные взаимодействия молекул примеси с кристаллической решеткой, а также взаимодействие я-электронов с cr - электронами молекулы. [13]
Не всякое тело с соответствующими электронными свойствами пригодно в качестве контакта. Понятие о катализе с прямым или косвенным участием электронов полупроводимости, несмотря на близкие по содержанию высказывания других авторов28 29, является новым. Для него можно ожидать некоторого своеобразия в температурной зависимости констант скорости и в кинетике, в тех случаях, когда процесс включает в виде медленного этапа тоннельный переход электрона, и сильного влияния примесей, изменяющих систему электронных уровней твердого тела. При этом должны существовать как примеси, сильно активирующие контакты посредством создания новых, еще более высоких уровней, так и примеси, резко снижающие активность путем уничтожения или компенсации наиболее высоких уровней. [14]