Валентная зона - кристалл
Cтраница 1
Валентная зона кристалла отделена от зоны проводимости запрещенной зоной и полностью заполнена электронами. Чему равна проводимость кристалла при Г0 К. [1]
Валентная зона кристалла отделена от зоны проводимости запрещенной зоной и; полностью заполнена электронами. Чему равна проводимость кристалла при T-Q К. [2]
Более глубокие валентные зоны кристалла КС1 ( Ss-зона хлора и Зр-зона калия) являются довольно узкими, их ширина не превышает 0 3 - - 0 5 эВ, и мы в дальнейшем обсуждать их не будем. [3]
Например, ширина валентной зоны кристалла КС1 получается в разных расчетах от 0 8 до 2 5 эВ ( § 4 / 3), однако во всех расчетах симметрия потолка и дна валентной зоны - Г ] 5 и L2 соответственно. [4]
Наличие незаполненных подуровней в валентной зоне кристаллов, что наблюдается в металлах, обеспечивает кристаллам хорошую электрическую проводимость. [5]
Зону, целиком заполненную электронами, называют валентной зоной кристалла, пустую зону-зоной проводимости. [6]
Рассмотрим, наконец, вопрос о щели в валентной зоне кристаллов A VB8 - N. Как было отмечено еще Хундом и Мровкой [214], такая щель ( возникающая вследствие расщепления дважды вырожденного уровня XI в решетке алмаза на два уровня XI и X. [7]
Примеси элементов III группы обусловливают дырочный тип проводимости, так как отдают в валентную зону кристалла полупроводника только три электрона. В кристалле образуются незаполненные связи - дырки, что вызывает ряд последовательных перемещений соседних электронов. В результате дырка перемещается подобно положительному заряду. Такие примеси называют акцепторными. Для германия ими служат галлий и индий, для кремния - бор и алюминий. Полупроводники с преобладанием акцепторных примесей называются дырочными, или р-типа. [8]
Зонная теория объясняет деление веществ на проводники, полупроводники и изоляторы прежде всего заполнением валентной зоны кристалла электронами. Если валентная зона кристалла заполнена не полностью, то кристалл является проводником. Однако проводником может оказаться и такой кристалл, в котором валентная зона полностью заполнена. [9]
Примеси элементов V группы в германии и кремнии определяют электронный тип проводимости, так как отдают в валентную зону кристалла полупроводника четыре электрона, а пятый становится носителем электрического тока. Такие примеси называют донорными. Для германия ими являются мышьяк и сурьма, а для кремния - фосфор и мышьяк. Полупроводники, в которых преобладают донорные примеси, называются электронными, или п-типа. [10]
 |
Схема движения заря доносителей в по - - J - лупроводнике п-типа.| Схема движения зарядоно-сителей в полупроводнике р-типа. [11] |
Система с тремя электронами будет стремиться втянуть электрон и, оторвав его у соседнего атома, создаст дырки в валентной зоне кристалла. [12]
Создание вакансий в ковалентных кристаллах типа Ge приводит к появлению ненасыщенных ковалентных связей, стремящихся связать электроны, источником которых могут быть как валентная зона кристалла, так и примесные атомы. [13]
Совершенно неоправданным представляется отнесение в [13] лишних уровней в кластерах алмаза к валентной зоне и ничем не обоснованное утверждение, что это соответствует более точному описанию в кластерной модели валентной зоны кристалла. [14]
Из того основного положения, что проводящее состояние полупроводника является возбужденным состоянием, следует, что всякое энергетическое воздействие на его атомы, способное забросить электроны в зону проводимости либо из валентной зоны кристалла, либо с примесных уровней, должно оказывать влияние на его электропроводность. Этот физический процесс внутреннего освобождения электронов называется внутренним фотоэффектом, а добавочная электропроводность, обусловливаемая этим процессом, называется фотопроводимостью. Напомним, что энергия фотона равна Av, где h - постоянная Планка, равная 6.62 - Ю 27 эрг-сск. В процессе электромагнитного возбуждения электрону передается вся энергия одного фотона. [15]
Страницы: 1 2 3